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Электронный компонент: NTE5456

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NTE5452 thru NTE5458
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
4 Amp Sensitive Gate
Description:
The NTE5452 through NTE5458 are sensitive gate 4 Amp SCR's in a TO202 type package designed
to be driven directly with IC and MOS devices. These reverseblocking triode thyristors may be
switched from offstate to conduction by a current pulse applied to the gate terminal. They are de-
signed for control applications in lighting, heating, cooling, and static switching relays.
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Reverse Voltage (T
C
= +100
C), V
RRM
NTE5452
30V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5453
50V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5454
100V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5455
200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5456
300V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5457
400V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5458
600V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak OffState Voltage (T
C
= +100
C), V
DRXM
NTE5452
30V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5453
50V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5454
100V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5455
200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5456
300V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5457
400V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5458
600V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RMS OnState Current, I
T(RMS)
4A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Surge (NonRepetitive) OnState Current (One Cycle at 50 or 60Hz), I
TSM
20A
. . . . . . . . . . .
Peak GateTrigger Current (3
s Max), I
GTM
1A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak GatePower Dissipation (I
GT
I
GTM
for 3
s Max), P
GM
20W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average Gate Power Dissipation, P
G(AV)
200mW
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Temperature Range, T
opr
40
to +100
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
40
to +150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Typical Thermal Resistance, JunctiontoCase, R
thJC
+5
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics:
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Peak OffState Current
I
RRM
V
RRM
= Max, V
DRXM
= Max,
100
A
I
DRXM
T
C
= +100
C, R
GK
= 1k
100
A
Maximum OnState Voltage
V
TM
T
C
= +25
C, I
T
= 4A (Peak)
2.2
V
DC Holding Current
I
HOLD
T
C
= +25
C
3
mA
DC GateTrigger Current
I
GT
V
D
= 6VDC, R
L
= 100
, T
C
= +25
C
50
200
A
DC GateTrigger Voltage
V
GT
V
D
= 6VDC, R
L
= 100
, T
C
= +25
C
0.8
V
Total Gate Controlled
TurnOn Time
t
gt
T
C
= +25
C
1.2
s
I
2
t for Fusing Reference
I
2
t
> 1.5msoc
0.5
A
2
sec
Critical rate of Applied
Forward Voltage
dv/dt
(critical)
R
GK
= 1k
, T
C
= +100
C
8
V/
s
A
.380 (9.56)
.180 (4.57)
.100 (2.54)
.100 (2.54)
.050 (1.27)
.070 (1.78) x 45
Chamf
.325
(9.52)
.132 (3.35) Dia
.500
(12.7)
.300
(7.62)
.380
(9.65)
Min
1.200
(30.48)
Ref
K
A
G