ChipFind - документация

Электронный компонент: NTE5542

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NTE5541 thru NTE5548
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
35 Amp
Description:
The NTE5541 thru NTE5548 are silicon controlled rectifiers (SCR) packaged in a TO48 type case
designed for industrial and consumer applications such as power supplies; battery chargers; temper-
ature, motor, light and welder controls.
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak OffState Voltage (T
J
= +100
C) V
DRM
NTE5541
50V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5542
100V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5543
200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5544
300V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5545
400V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5546
500V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5547
600V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5548
800V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak Reverse Voltage (T
J
= +100
C) V
RRM
NTE5541
50V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5542
100V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5543
200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5544
300V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5545
400V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5546
500V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5547
600V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5548
800V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RMS OnState Current (T
C
= +75
C), I
(RMS)
35A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Surge (NonRepetitive) OnState Current (One Cycle at 50Hz or 60Hz), I
TSM
300A
. . . . . . .
Peak GateTrigger Current (3
s Max), I
GTM
20A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak GatePower Dissipation (I
GT
I
GTM
for 3
s Max), P
GM
20W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average Gate Power Dissipation, P
G(AV)
500mW
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Temperature Range, T
oper
40
to +150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
40
to +150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Typical Thermal Resistance, JunctiontoCase, R
thJC
1.4
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics: (At "Maximum Ratings" and Specified Case Temperatures)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Peak OffState Current
I
DRM
,
I
RRM
V
DRM
& V
RRM
= Max Rating,
T
J
= +100
C, Gate Open
2.0
mA
Maximum OnState Voltage (Peak)
I
HO
T
C
= +25
C
50
mA
DC Gate Trigger Current
I
GT
Anode Voltage = 12V, R
L
= 30
,
T
C
= +25
C
30
mA
DC Gate Trigger Voltage
V
GT
Anode Voltage = 12V, R
L
= 30
,
T
C
= +25
C
2.0
V
Gate Controlled TurnOn Time
t
gt
I
GT
= 150mA
2.5
s
Critical Rate of Rise of
OffState Voltage
dv/dt
(Critical)
Gate Open, T
C
= +100
C
100
V/
s
.200 (5.08) Max
.562
(14.28)
Max
1.193
(30.33)
Max
.453
(11.5)
Max
Cathode
Gate
Anode
1/428 UNF2A