NTE5586 & NTE5588
Silicon Controlled Rectifier
for Phase Control Applications
Electrical Characteristics: (Maximum values @ T
J
= +125
C unless otherwise specified)
Repetitive Peak Voltages, V
DRM
& V
RRM
NTE5586
600V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5588
1600V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NonRepetitive Peak OffState Voltage, V
DSM
NTE5586
600V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5588
1600V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NonRepetitive Peak Reverse Blocking Voltage, V
RSM
NTE5586
700V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5588
1700V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average OnState Current (Half Sine Wave, T
C
= +85
C), I
T(AV)
226A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RMS OnState Current, I
(RMS)
355A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Continuous OnState Current, I
T
355A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak OneCycle, NonRepetitive Surge Current (10ms Duration), I
TSM
60% V
RRM
reapplied
4650A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
V
R
10V
5120A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum I
2
t for Fusing (V
R
10V), I
2
t
10ms Duration
131,000A
2
sec
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10ms Duration
97350A
2
sec
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Forward Gate Current (Anode Positive with Respect to Cathode), I
FGM
20A
. . . . . . . . . . . . . . .
Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with Respect to Cathode), V
FGM
18V
. . . . . . . . . . . . . .
Peak Reverse Gate Voltage, V
RGM
5V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average Gate Power, P
G
2W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Power (100
s Pulse Width), P
GM
100W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Rate of Rise of OffState Voltage (To 80% V
DRM
, Gate Open), dv/dt
200V/
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
Rate of Rise of ONState Current, di/dt
(Gate Drive 20V, 20
, with t
r
1
s, Anode Voltage
80% V
DRM
)
Repetitive
500A/
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NonRepetitive
1000A/
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak OnState Voltage (I
TM
= 710A), V
TM
1.62V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Forward Conduction Threshold Voltage, V
O
0.92V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Forward Conduction Slope Resistance, r
0.99m
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak OffState Current (At V
DRM
), I
DRM
20mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak Reverse Current (At V
RRM
), I
RRM
20mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Gate Current Required to Fire All Devices (V
A
= 6V, I
A
= 2A, T
J
= +25
C), I
GT
150mA
. .
Maximum Gate Voltage Required to Fire All Devices (V
A
= 6V, I
A
= 2A, T
J
= +25
C), V
GT
3V
. . . . .
Maximum Holding (V
A
= 6V, I
A
= 2A, T
J
= +25
C), I
H
600mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Gate Voltage which will not Trigger any Device, V
GD
0.25V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics (Cont'd): (Maximum values @ T
J
= +125
C unless otherwise specified)
Operating Temperature Range, T
C
40
to +125
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
40
to +150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, JunctiontoCase (V
F
= Max Rating), R
tnJC
DC and 180
Sine wave
0.12
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
120
Rectangular wave
0.14
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, CasetoHeat Sink, R
thCHS
0.04
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
.350 (8.89)
Dia Max
Gate
(White)
3.625
(92.07)
Max
8.100
(205.74)
Max
(Terminals
1, 2, & 3)
.630 (16.0)
3/416 UNF2A
(Terminal 4)
.643 (16.35)
1.212 (30.8)
Dia Max
1.031 (26.18) Dia
(Ceramic)
Cathode
Cath-
ode
(Red)
Anode
1.077 (27.35) Max
.156 (3.96) Max
1.443 (36.68) Max
(Across Corners)
For No. 6 Screw
For No. 6 Screw
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