NTE56042 thru NTE56044
TRIAC, 16A, Sensitive Gate
Description:
The NTE56042 through NTE56044 are glass passivated, sensitive gate TRIACs in an isolated full
pack type package designed for use in general purpose bidirectional switching and phase control
applications, where high sensitivity is required in all four quadrants.
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak OffSate Voltage, V
DRM
NTE56042 (Note 1)
500V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE56043 (Note 1)
600V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE56044
800V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RMS OnState Current (Full Sine Wave, T
HS
38
C), I
T
(RMS)
16A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NonRepetitive Peak OnState Current, I
TSM
(Full Sine Wave, T
J
= +125
C prior to Surge, with Reapplied V
DRM
max)
t = 20ms
140A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
t = 16.7ms
150A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
I
2
t for Fusing (t = 10ms), I
2
t
98A
2
sec
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive RateofRise of OnState Current after Triggering, dI
T
/dt
(I
TM
= 20A, I
G
= 0.2A, dI
G
/dt = 0.2A/
s)
MT
2
(+), G (+)
50A/
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
MT
2
(+), G ()
50A/
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
MT
2
(), G ()
50A/
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
MT
2
(), G (+)
10A/
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Current, I
GM
2A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Voltage, V
GM
5V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Power, P
GM
5W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average Gate Power (Over Any 20ms Period), P
G(AV)
500mW
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
+125
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
40
to +150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, JunctiontoHeatsink (Full or Half Cycle), R
thJHS
With Heatsink Compound
4.0K/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Without Heatsink Compound
5.5K/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Typical Thermal Resistance, JunctiontoAmbient, R
thJA
55K/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. Although not recommended, offstate voltages up to 800V may be applied without damage,
but the TRIAC may switch to the onstate. The rateofrise of current should not exceed
15A/
s.
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