BPX 43
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
2001-02-21
1
Wesentliche Merkmale
Speziell geeignet fr Anwendungen im Bereich
von 450 nm bis 1100 nm
Hohe Linearitt
Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit
Basisanschlu, geeignet bis 125
C
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Industrieelektronik
,,Messen/Steuern/Regeln"
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPX 43
Q62702-P16
BPX 43-2/3
Q62702-P3580
BPX 43-3
Q62702-P16-S3
BPX 43-3/4
Q62702-P3581
BPX 43-4
Q62702-P16-S4
BPX 43-4/5
Q62702-P3582
BPX 43-5
Q 62702-P16-S5
Features
Especially suitable for applications from
450 nm to 1100 nm
High linearity
Hermetically sealed metal package (TO-18)
with base connection suitable up to 125
C
Available in groups
Applications
Photointerrupters
Industrial electronics
For control and drive circuits
2001-02-21
2
BPX 43
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 125
C
Lttemperatur bei Tauchltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
5 s
Dip soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
5 s
T
S
260
C
Lttemperatur bei Kolbenltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
3 s
Iron soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
3 s
T
S
300
C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
50
V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
50
mA
Kollektorspitzenstrom,
<
10
s
Collector surge current
I
CS
200
mA
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
V
EB
7
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
220
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
450
K/W
BPX 43
2001-02-21
3
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
880
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
450 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
0.675
mm
2
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
B
L
W
1
1
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseoberflche
Distance chip front to case surface
H
2.4 ... 3.0
mm
Halbwinkel
Half angle
15
Grad
deg.
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CB
= 5 V
I
PCB
I
PCB
11
35
A
A
Kapazitt
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
C
CE
C
CB
C
EB
23
39
47
pF
pF
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
I
CEO
20 (
300)
nA
2001-02-21
4
BPX 43
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-2
-3
-4
-5
Fotostrom,
=
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
0.8 ... 1.6
3.8
1.25 ... 2.5
6.0
2.0 ... 4.0
9.5
3.2
15.0
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
t
r
,
t
f
9
12
15
18
ms
Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
0.3
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
200
220
240
260
mV
Stromverstrkung
Current gain
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
110
170
270
430
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
I
PCE
I
PCB
------------
BPX 43
2001-02-21
5
Relative Spectral Sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Output Characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Output Characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Dark Current
I
CEO
/
I
CEO25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark Current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Collector-Emitter Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
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