F 0372A
InGaAlP Resonant Cavity LED-Chip (660nm, High Power)
InGaAlP Resonant Cavity LED Chip (660 nm, High Power)
Vorlufige Daten / Preliminary Data
2002-02-21
1
Besondere Merkmale
keine Schwelle
hohe Leistung
Kurze Schaltzeiten: 15ns
Oberflchenstrahler
Optimale Wellenlnge fr
Kunstoff-Faserbertragung
Verbesserte Richtungsabhngigkeit
Verbesserte Einkoppeleffizienz
Herausragende Zuverlssigkeit
Anwendungen
Drucker- und Scanneranwendungen
Optische Plastikfaser-Datenbertragung im
Automobil
Optische Sensoranwendungen
Optische Anzeigen
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Beschreibung
Description
F372A
on request
Resonant Cavity LED, Oberseite Anodenanschluss,
Leistungsvariante
Resonant Cavity LED, top side anode connection, Power
version
Features
No threshold
High Power
Short Switching times: 15ns
Surface emitter
Optimized wavelength for plastic optical fiber
Enhanced directionality
Enhanced coupling efficiency
extraordinary reliability
Applications
Printer- and Scannerapplications
Automotive plastic optical fiber communication
Optical sensorapplications
Optical indicators
2002-02-21
2
F 0372A
Grenzwerte
3)
(
T
A
= 25
C)
Maximum Ratings
3)
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
max.
Betriebstemperatur
Operating temperature
T
op
40
+ 85
C
Durchlassstrom
Forward current
I
F
30
mA
Stostrom,
t
p
=10s, D=0.005
Surge current
I
S
500
mA
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
12
V
Mechanische Werte
Mechanical values
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
1)
Value
1)
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Chipkantenlnge (x-Richtung)
Length of chip edge (x-direction)
L
x
0.2
0.22
0.24
mm
Chipkantenlnge (y-Richtung)
Length of chip edge (y-direction)
L
y
0.2
0.22
0.24
mm
Durchmesser des Wafers
Diameter of the wafer
D
W
100
mm
Chiphhe
Die height
H
200
220
240
m
Bondpadkantenlnge
Bondpadsize
d
104
109
114
m
F 0372A
2002-02-21
3
Optische Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Optical Characteristics
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
1)
Values
1)
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Emissionswellenlnge (gemessen in
Ulbrichtkugel)
Wavelength at peak emission (measured in
integrating sphere)
peak
640
650
660
nm
Spektralbreite (Halbwertsbreite, gemessen in
Ulbrichtkugel)
Spectral width (FWHM, measured in
integrating sphere)
12
18
nm
Spektralbreite (Halbwertsbreite,
Gemessen in
Achsrichtung (Raumwinkel 0.01sr)
)
Spectral width (FWHM,
Measured in axial
direction (Solid angle 0.01sr)
)
4
6
nm
Durchlassspannung
Forward voltage
I
F
= 20 mA
V
F
1.8
1.9
2.3
V
Gesamtstrahlungsfluss
4)
Total radiant flux
4)
I
F
= 20 mA
e
1.4
2.0
2.8
mW
Strahlstrke
4)
Radiant intensity
4)
I
F
= 20 mA
I
e
0.4
0.7
1.2
mW/sr
Anstiegs- und Abfallzeit (10% ... 90%)
Rise and fall time (10% ... 90%)
t
r
,
t
f
15
ns
Temperaturkoeffizient der Wellenlnge
Temperature coefficient of wavelength
/
T
0.1
nm/K
Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung
Temperature coefficient of forward voltage
V
F
/
T
-0.18
mV/K
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2002-02-21
4
Relative Spectral Emission
2)
I
rel
=
f
(
), T
A
= 25C
Radiation Characteristics
2)
I
rel
=
f
(
)
Radiant Intensity
2)
T
A
= 25C
Forward Current
2)
I
F
=
f
(V
F
), T
A
= 25C
OHF00149
0
600
nm
rel
%
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
620
640
660
680
700
total
emission
emission
front
OHF00147
0
-100
rel
%
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
-50
0
50
100
Deg.
25 C
60 C
90 C
e
e
10 mA
=
f
(
I
F
)
OHF00632
mA
e
0
I
F
0
e (10 mA)
5
10
15
20
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
2,0
10
10
-3
10
-2
-1
10
0
10
1
10
2
OHF00631
0
I
F
V
F
V
mA
0,5
1,0
1,5
2,0
F 0372A
2002-02-21
5
Mazeichnung
Chip Outlines
Mae werden als typische
1)
Werte wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as typical
1)
values as
follows: mm (inch).
GCOY6911
0.22 (0.0087)
0.109 (0.0043)
p-contact
n-contact
0.22 (0.0087)
PDF 
ZIP