F 0460B
InGaN High Brightness Lumineszenzdiode (460 nm, High Power)
InGaN High Brightness Light Emitting Diode (460 nm, High Power)
Vorlufige Daten / Preliminary Data
2002-02-21
1
Wesentliche Merkmale
Typ. Gesamtleistung: 6 mW @ 20 mA (im 5mm
Radial Gehuse)
Optische Effizienz: 3 lm/W (5mm Gehuse)
Hohe Helligkeit durch spezielle OSRAM
ATON
-Technologie
Leitfhiges Substrat
Gute Stromverteilung durch SiC-Substrat
Chipgre 260 x 260
Wellenlnge 460 nm (blau)
Technologie: InGaN
ESD-Klasse 2
Anwendungen
Informationsanzeigen im Auenbereich
Weie LED
optischer Indikator
Hinterleuchtung (LCD, Schalter, Tasten,
Displays, Werbebeleuchtung,
Allgemeinbeleuchtung)
Innenbeleuchtung im Automobilbereich
Markierungsbeleuchtung
Signal- und SymbolleuchtenScanner
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
F 0460B
on request
Blau (460 nm) emittierender InGaN Chip mit spezieller
OSRAM ATON
-Form zur effizienten Lichtauskopplung
Blue light (460 nm)emitting InGaN diode with special
OSRAM ATON
shape for enhanced light outcoupling
Features
Typ. radiant power: 6 mW @ 20 mA (in 5mm
Radial package)
Optical efficiency: 3 lm/W (5mm package)
High Brightness due to special OSRAM
ATON
-technology
Conductive substrate
Good current spreading by SiC substrate
Chipsize 260 x 260
Wavelength 460 nm (blue)
Technology: InGaN
ESD class 2 rating
Applications
Outdoor displays
White LED
Optical indicators
backlighting (LCD, switches, keys, displays,
illuminated advertising, general lighting)
Interior automotive lighting
Marker lights
Signal and symbol luminaire
Scanner
2002-02-21
2
F 0460B
Elektrische Werte (gemessen 5 mm Radial Bauform,
T
A
= 25
C)
Electrical values (measured in 5 mm Radial package,
T
A
= 25
C)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
1)
Value
1)
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
peak
456
nm
Dominantwellenlnge
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
dom
456
461
466
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
rel max,
Spectral bandwidth at 50% of
I
rel max
I
F
= 20 mA
30
nm
Sperrspannung
reverse voltage
I
R
= 10
A
V
R
5
V
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 20 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
30
ns
Durchlaspannung,
I
F
= 20 mA,
Forward voltage,
I
F
= 20 mA
V
F
2.9
3.65
4.0
V
Gesamtstrahlungsflu
4)
Radiant power
4)
I
F
= 20 mA
e
3.7
6.0
mW
Temperaturkoeffizient
2)
von
dom
Temperature coefficient
2)
of
dom
I
F
= 50 mA; -10C < T < 100C
TC
dom
0.04
nm/K
Temperaturkoeffizient
2)
von V
F
Temperature coefficient
2)
of V
F
IF = 50 mA; -10C < T < 100C
TC
V
-3.1
mV/K
F 0460B
2002-02-21
3
Mechanische Werte
Mechanical values
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
1)
Value
1)
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Chipkantenlnge (x-Richtung, Oberseite)
Length of chip edge (x-direction, top side)
L
x
0.235
0.26
0.285
mm
Chipkantenlnge (y-Richtung, Oberseite)
Length of chip edge (y-direction, top side)
L
y
0.235
0.26
0.285
mm
Durchmesser des Wafers
Diameter of the wafer
D
50.8
mm
Chiphhe
Die height
H
225
250
275
m
Bondpaddurchmesser
Diameter of bondpad
d
100
120
140
m
Bezeichnung
Parameter
Wert
Value
Vorderseitenmetallisierung
Metallization frontside
Au
Rckseitenmetallisierung
Metallization backside
Au-partiell
Au-partial
Verbindung Chip - Trger
Die bonding
Kleben
Epoxy bonding
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4
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Grenzwerte
3)
(T
A
= 25C)
Maximum Ratings
3)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Maximale Betriebstemperatur
Maximum Operating temperature range
T
op
-55C...+100C
C
Maximale Lagertemperatur
Maximum storage temperature range
T
stg
-55C...+100C
C
Maximaler Durchlastrom
Maximum forward current
I
F
30
mA
Maximaler Pulsstrom, t
p
= 10 s, D= 0.005
Maximum pulse current
I
P
100
mA
Maximale Sperrschichttemperatur
Maximum junction temperature
T
j
125
C
Elektrostatische Durchbruchsspannung (HBM)
Electrostatic Discharge Threshold (HBM)
ESD
th
1000
V
PDF 
ZIP