F 0496A
GaAs-Infrarot-VCSEL-Chip (850 nm)
GaAs Infrared VCSEL Chip (850 nm)
Vorlufige Daten / Preliminary Data
2003-03-26
1
Wesentliche Merkmale
Technologie basierend auf selektiver Oxidation
Sehr hohe Datenrate (GBit/s) mglich
Oberflchenstrahler
Emissionswellenlnge 850nm
Multimodebetrieb
Zuverlssigkeit gem Bellcore Standard
Anwendungen
Faseroptische Datenbertragung
Parallel optical data link
Laserdrucker
Nherungssensoren
Reflexlichtschranken
Gabellichtschranken
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Beschreibung
Description
F 0496A
on request
Infrarot emittierender VCSEL-Chip, Oberseite Anodenan-
schluss
Infrared emitting VCSEL die, top side anode connection
Features
Technology based on selective oxidation
Very high data rate (GBit/s) possible
Surface emitter
850 nm emission wavelength
Multimode operation
Reliability acc. Bellcore Standard
Applications
Fiber Optic data link
Parallel optical data link
Laser printing
Proximity sensors
Reflective sensor
Slotted interrupter
2003-03-26
2
F 0496A
Elektrische Werte (gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss,
T
A
= 25
C)
Electrical values (measured on TO18 header without resin,
T
A
= 25
C)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
1)
Value
1)
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
peak
830
850
870
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max,
I
F
= 10 mA
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
0.7
nm
Schwellstrom
Threshold current
th
1
3
5
mA
Steilheit
Slope efficiency
0.2
0.25
0.4
mW/mA
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von
90% auf 10%, bei
I
F
= 6 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 6 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
200
ps
Durchla
spannung
Forward voltage
I
F
= 10 mA,
t
p
= 20 ms
V
F
1.7
2.1
2.5
V
Dynamischer Widerstand
Dynamic Resistance
R
S
30
60
100
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 3 V
I
R
0.01
A
Gesamtstrahlungsflu
4)
Total radiant flux
4)
I
F
= 10 mA,
t
p
= 20 ms
e
1.5
1.8
mW
Detuning
T
opt
10
25
40
C
Temperaturkoeffizient von
peak
,
I
F
= 10 mA
Temperature coefficient of
peak
,
I
F
= 10 mA
TC
0.06
nm/K
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2003-03-26
3
Mechanische Werte
Mechanical values
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
1)
Value
1)
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Chipkantenlnge (x-Richtung)
Length of chip edge (x-direction)
L
x
0.25
0.27
0.29
mm
Chipkantenlnge (y-Richtung)
Length of chip edge (y-direction)
L
y
0.20
0.22
0.24
mm
Durchmesser der aktiven Chipflche
Dimension of the active chip area
D
15
m
Durchmesser des Wafers
Diameter of the wafer
D
76.2
mm
Chiphhe
Die height
H
160
185
210
m
Grenzwerte
3)
(
T
A
= 25
C)
Maximum Ratings
3)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40
...
+ 85
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
3
V
Durchlastrom
Forward current
I
F
20
mA
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2003-03-26
4
Relative Spectral Emission
2)
I
rel
=
f
(
)
Forward Current
2)
I
F
=
f
(
V
F
)
Optical power
2)
rel
=
f
(
T
)
OHF00141
0
840
nm
rel
860
850
20
40
60
80
100
120
%
OHF00143
0
I
F
F
V
10
-3
-2
10
-1
10
10
0
10
1
10
2
mA
0.5
1
1.5
2
2.5
V
OHF01179
-20
P
opt
T
0
mW
C
0
20
40
60
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.8
Radiant Intensity
2)
Threshold Current
2)
,
th
=
f
(
T
)
F
ar Field Emission Pattern
2)
e
e
10 mA
=
f
(
I
F
)
OHF00142
0
0
mA
e rel
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
2
4
6
8
F
I
OHF00145
0
I
th
A
T
20
40
60
80
100
C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
mA
OHF01180
-30
a.u.
-20
-10
0
10
Deg 30
I
4 mA
8 mA
10 mA
15 mA
Near Field Emission Pattern
2)
Spectral Width
2)
FWHM
=
f
(
T)
OHF01182
I
X
a.u.
8 mA
10 mA
15 mA
4 mA
6 mA
a.u.
OHF01181
0
FWHM
T
0
C
20
40
60
80
100
5
10
15
20
25
Deg
2003-03-26
5
F 0496A
Mazeichnung
Chip Outlines
Mae werden als typische
1)
Werte wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as typical
1)
values as
follows: mm (inch).
GMOY6074
0.185 (0.0073)
0.22 (0.0087)
0.27 (0.0106)
Active area
Bonding area
Bonding area
Active area
p
n
PDF 
ZIP