F 0950A
InGaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, High Power)
InGaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, High Power)
Vorlufige Daten / Preliminary Data
2002-02-21
1
Wesentliche Merkmale
Typ. Gesamtleistung: 28 mW @ 100 mA im
TOPLED
Gehuse
Chipgre 300 x 300
m
2
Wellenlnge der Strahlung 950 nm
InGaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
Gleichstrom- oder Impulsbetrieb mglich
Hohe Zuverlssigkeit
Hohe Impulsbelastbarkeit
Sehr kurze Schaltzeiten
Anwendungen)
Schnelle Datenbertragung mit
bertragungsraten bis 100 Mbaud (IR Tastatur,
Joystick, Multimedia)
Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und
Videosignalbertragung
Batteriebetriebene Gerte (geringe
Stromaufnahme)
Anwendungen mit hohen Zrverlssigkeits-
ansprchen bzw. erhhten Anforderungen
Alarm- und Sicherungssysteme
IR-Freiraumbertragung
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
F 0950A
Q67220-C1262
Infrarot emittierender Hochleistungschip, Oberseite
Kathodenanschlu
Infrared emitting high power die, top side cathode
connection
Features
Typ. total radiant power: 28 mW @ 100 mA in
TOPLED
package
Chip size 300 x 300
m
2
Peak wavelength of 950 nm
Very highly efficient InGaAs LED
DC or pulsed operations are possible
High reliability
High pulse handling capability
Very short switching times
Applications
High data transmission rate up to 100 Mbaud
(IR keyboard, Hoystick, Multimedia)
Analog and digital Hi-Fi audio and video signal
transmission
Low power consumption (battery)
equipment
Suitable for professional and high-reliability
applications
Alarm and safety equipment
IR free air transmission
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2
F 0950A
Elektrische Werte (gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss,
T
A
= 25
C)
Electrical values (measured on TO18 header without resin,
T
A
= 25
C)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
1)
Value
1)
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
peak
950
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max,
I
F
= 10 mA
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
55
nm
Sperrspannung
reverse voltage
I
R
= 10
A
V
R
5
20
V
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90% auf
10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
16
18
ns
Durchla
spannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
V
F
1.5
1.8
V
Gesamtstrahlflu
4)
radiant power
4)
I
F
= 100mA, t
= 20 ms
e
11
14
mW
Temperaturkoeffizient
2)
von
Temperature coefficient
2)
of
I
F
= 100 mA;
TC
0.2
nm/K
Temperaturkoeffizient
2)
von V
F
Temperature coefficient
2)
of V
F
I
F
= 100 mA;
TC
V
-1.5
mV/K
F 0950A
2002-02-21
3
Mechanische Werte
Mechanical values
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
1)
Value
1)
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Chipkantenlnge (x-Richtung)
Length of chip edge (x-direction)
L
x
0.28
0.3
0.32
mm
Chipkantenlnge (y-Richtung)
Length of chip edge (y-direction)
L
y
0.28
0.3
0.32
mm
Durchmesser des Wafers
Diameter of the wafer
D
50.8
mm
Chiphhe
Die height
H
185
m
Bondpaddurchmesser
Diameter of bondpad
d
115
m
Bezeichnung
Parameter
Wert
Value
Vorderseitenmetallisierung
Metallization frontside
Aluminium
Aluminum
Rckseitenmetallisierung
Metallization backside
Goldlegierung
Gold alloy
Trennverfahren
Dicing
Sgen
Sawing
Verbindung Chip - Trger
Die bonding
Kleben
Epoxy Bonding
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F 0950A
Grenzwerte
3)
(T
A
0= 25 C)
Maximum Ratings
3)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Maximaler Betriebstemperaturbereich
Maximum operating temperature range
T
op
- 40...+100
C
Maximaler Lagertemperaturbereich
Maximum storage temperatur range
T
stg
- 40...+100
C
Maximaler Durchlastrom
Maximum forward current
I
F
100
mA
Maximaler Stostrom
maximum surge current
t
p
= 10 s, D = 0.005
I
S
2
A
Maximale Sperrschichttemperatur
Maximum junction temperature
T
j
125
C
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