SPL LL85
Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung
Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power
2003-08-11
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Besondere Merkmale
Kleines kostengnstiges Plastik-Gehuse
Integriert sind ein FET und Kondensatoren zur
Impulsansteuerung
InAlGaAs/GaAs kompressiv verspannte
Quantenfilmstruktur
Hochleistungslaser mit ,,Large-Optical-Cavity"
(LOC) Struktur
Laserapertur 200 m x 2 m
Schneller Betrieb (< 30 ns Impulsbreite)
Niedrige Versorgungsspannung (< 16 V)
Anwendungen
Entfernungsmessung
Sicherheit, berwachung
Beleuchtung, Zndung
Test- und Messsysteme
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-
Strahlung, die gefhrlich fr das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, mssen gem den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt
werden.
Typ
Type
Opt. Spitzenausgangsleistung
Opt. Peak Power
Wellenlnge
Wavelength
Bestellnummer
Ordering Code
SPL LL85
14 W
850 nm
Q62702P3558
Features
Low cost, small size plastic package
Integrated FET and capacitors for pulse control
Strained InAlGaAs/GaAs QW-structures
High power large-optical-cavity laser structure
Laser aperture 200 m x 2 m
High-speed operation (< 30 ns pulse width)
Low supply voltage (< 16 V)
Applications
Range finding
Security, surveillance
Illumination, ignition
Testing and measurement
Safety advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 "Safety of laser products".
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SPL LL85
Grenzwerte (kurzzeitiger Betrieb) (
T
A
= 25
C)
Maximum Ratings (short time operation)
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
max.
Spitzenausgangsleistung
Peak output power
P
opt
16
W
Ladespannung
Charge voltage
V
C
16
V
Gate-Spannung
Gate voltage
V
g
14
+ 14
V
Tastverhltnis
Duty cycle
d.c.
0.1
%
Betriebstemperatur
Operating temperature
T
op
- 40
+ 85
C
Lagertemperatur
Storage temperature
T
stg
- 40
+ 100
C
Lttemperatur (
t
max
= 10 s)
Soldering temperature (
t
max
= 10 s)
T
s
+ 260
C
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Optische Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Optical Characteristics
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Zentrale Emissionswellenlnge
1)
Emission wavelength
1)
840
850
860
nm
Spektralbreite (Halbwertsbreite)
1)
Spectral width (FWHM)
1)
4
9
nm
Spitzenausgangsleistung
1)
Peak output power
1)
P
opt
12
14
16
W
Anstiegs- und Abfallzeit (10% ... 90%)
1), 2)
Rise and fall time (10% ... 90%)
1), 2)
t
r
,
t
f
9
23
-
-
ns
ns
Austrittsffnung
Aperture size
w
h
200
2
m
2
Strahldivergenz (Halbwertsbreite) parallel zum
pn-bergang
1)
Beam divergence (FWHM) parallel to pn junction
1)
||
12
15
18
Grad
deg.
Strahldivergenz (Halbwertsbreite) senkrecht zum
pn-bergang
1)
Beam divergence (FWHM) perpendicular to
pn-junction
1)
27
30
33
Grad
deg.
Temperaturkoeffizient der Wellenlnge
Temperature coefficient of wavelength
/
T
0.25
0.32
nm/K
Thermischer Widerstand
Thermal resistance
R
th
200
K/W
Einschaltspannung
Switch on voltage
V
G on
4.5
5
14
V
Ausschaltspannung
Switch off voltage
V
G off
14
0
1
V
1)
Werte beziehen sich auf folgende Standardbetriebsbedingung: 30 ns Pulsbreite, 1 kHz Pulswiederholrate, 7 V
Ladespannung bei 25C Umgebungstemperatur.
Values refer to the following standard operating conditions: 30 ns pulse width, 1 kHz pulse repetition rate, 7 V charge
voltage at 25 C ambient temperature.
2)
Die Schaltgeschwindigkeit ist abhngig von Strom und Geschwindigkeit, mit der die Gate-Kapazitt (typ. 300 pF)
des internen Transistors geladen wird. Geringere Anstiegs- und Abfallzeiten erhlt man bei reduzierter optischer
Spitzenleistung (siehe Diagramm unten)
Switching speed at gate depends on current and speed, charging the gate capacitance (typ. 300 pF) of the internal
transistor. Reduced rise and fall times occur at reduced optical peak power (see diagram below)
SPL LL85
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Optical output power
P
opt
vs charge voltage V
c
(t
p
= 30 ns)
Far-field distribution parallel to junction
I
rel
vs. angle
||
Optical spectrum, relative intensity
I
rel
vs.
wavelength
(P
opt
= 14 W,
t
p
= 30 ns)
Far-field distribution perpendicular to
junction
I
rel
vs. angle
0
0,25
0,5
0,75
1
-30
-20
-10
0
10
20
30
Angle , de g
Relative intensity I
rel
0
0.25
0.5
0.75
1
830 835 840 845 850 855 860 865
wavelength
, nm
relative intensity I
rel
0
0,25
0,5
0,75
1
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50
Angle , de g
Relative intensity I
rel
SPL LL85
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Optical pulse form for trigger pulse widths
variing from 4 to 80 ns
Optical peak power, fall and rise time vs. pulse
width
Optical pulse width vs. trigger pulse width
using MOSFET driver Elantec EL7104C
Optical peak power vs. optical pulse energy
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SPL LL85
Mazeichnung
Package Outlines
Mae werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch).
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