ChipFind - документация

Электронный компонент: 2SJ646

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2SJ646
No.8282-1/4
2SJ646
4V
Absolute Maximum Ratings / Ta=25
unit
VDSS
- 30
V
VGSS
20
V
DC
ID
- 8
A
IDP
PW 10s, duty cycle 1%
- 32
A
PD
1
W
Tc=25
15
W
Tch
150
Tstg
- 55 150
Electrical Characteristics / Ta=25
unit
min
typ
max
V(BR)DSS
ID= - 1mA, VGS=0V
- 30
V
IDSS
VDS= - 30V, VGS=0V
- 1
A
IGSS
VGS= 16V, VDS=0V
10
A
VGS(off)
VDS= - 10V, ID= - 1mA
- 1.2
- 2.6
V
y
fs
VDS= - 10V, ID= - 4A
3.3
5.5
S
RDS(on)1
ID= - 4A, VGS= - 10V
58
75
m
RDS(on)2
ID= - 2A, VGS= - 4.5V
97
136
m
RDS(on)3
ID= - 2A, VGS= - 4V
110
154
m
Ciss
VDS= - 10V, f=1MHz
510
pF
Coss
VDS= - 10V, f=1MHz
115
pF
Crss
VDS= - 10V, f=1MHz
78
pF
td(on)
11
ns
tr
40
ns
td(off)
40
ns
tf
30
ns
P MOS
62005PA MS IM TA-100575
370-0596 11


()
No. N 8 2 8 2
2SJ646
No.8282-2/4
unit
min
typ
max
Qg
VDS= - 10V, VGS= - 10V, ID= - 8A
11
nC
Qgs
VDS= - 10V, VGS= - 10V, ID= - 8A
2.4
nC
Qgd
VDS= - 10V, VGS= - 10V, ID= - 8A
1.7
nC
VSD
IS= - 8A, VGS=0V
- 1.0
- 1.2
V
unit : mm
unit : mm
7518-004
7003-004
PW=10s
D.C.
1%
0V
--10V
VIN
P.G
50
G
S
ID= --4A
RL=3.75
VDD= --15V
VOUT
2SJ646
VIN
D
6.5
5.0
2.3
0.5
1
2
4
3
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
2.3
2.3
7.0
7.5
1.6
0.8
5.5
1.5
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP
0
--0.5
--1.0
--2.0
--2.5
--3.0
--4.0
--3.5
--1.5
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--0.1
--0.3
--0.5
--0.7
--0.9
, VDS -- V
ID -- VDS
, I
D
-
- A
IT04492
0
--1.0
--0.5
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.5
--4.0
--5.0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
, VGS -- V
ID -- VGS
, I
D
-
- A
-
-25
C
IT04493
--10.0V
--3.5V
VGS= --2.5V
--3.0V
--4.5V
--4.0V
--8
.0V
--6.0V
25
C
Ta=75
C
VDS= --10V
6.5
5.0
2.3
0.5
1
2
4
3
0.85
0.6
0.5
1.2
1.2
2.3
2.3
7.0
2.5
5.5
1.5
0.8
0 to 0.2
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP-FA
2SJ646
No.8282-3/4
IT04496
,
y
fs
-
- S
y
fs -- ID
IT04497
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
, I
S
-
- A
IS -- VSD
7
0.1
1.0
7
5
3
2
10
7
5
3
2
2
--0.1
--1.0
2
3
5 7
--0.01
2
3
5 7
7
--10
2
3
5 7
75
C
Ta= -
-25
C
VDS= --10V
--0.001
2
3
--0.1
--10
--1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
7
5
2
VGS=0V
0
0
--2
--1
--3
--4
--5
--6
--7
--8
12
10
6
8
2
4
--9
--10
VGS -- Qg
VDS= --10V
ID= --8A
IT09669
--0.1
--1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
SW Time -- ID
VDD= --15V
VGS= --10V
td(on)
td(off)
tf
IT06907
0
--2
--4
--6
1000
7
5
3
2
100
7
5
--8
--20
--10
--12
--14
--16
--18
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
Coss
Crss
IT04498
, ID -- A
, SW Time -
- ns
, VDS -- V
Ciss, Coss, Crss -
- pF
, Qg -- nC
, V
GS
-
- V
A S O
, VDS -- V
, I
D
-
- A
IT09670
100
2
3
10
2
7
7
3
5
100ms
DC operation
10ms
Tc=25C
1
IDP= --32A
ID= --8A
Operation in this
area is limited by RDS(on).
10
s
1m
s
100
s
--0.01
--0.1
--1.0
--10
2 3
5 7
2 3
5 7
2 3
5 7
2 3
5
--10
--1.0
--0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
, ID -- A
, VSD -- V
Ta=75
C
25
C
--25
C
f=1MHz
25
C
tr
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
50
100
150
200
250
300
0
, VGS -- V
RDS(on) -- VGS
, R
DS
(on) -
- m
IT09667
, Ta -- C
RDS(on) -- Ta
, R
DS
(on) -
- m
IT09668
0
50
100
200
150
ID= --2A
--4A
ID= -
-2A, V
GS
= --4.0V
ID= -
-2A, V
GS
= --4.5V
ID= -
-4A, VGS
= --10.0V
Ta=25C
2SJ646
No.8282-4/4












PS
MOSFET
IT09671
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.5
1.0
1.5
, Ta -- C
PD -- Ta
, P
D
-
- W
IT09672
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
5
10
20
15
, Tc -- C
PD -- Tc
, P
D
-
- W