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Электронный компонент: CPH5810

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CPH5810
No.8206-1/5
370-0596 11
No. N 8 2 0 6
MOSFET : P MOS
SBD :


()
P MOS
MCH3312
SBS001
1
MOS
4V
SBD
Absolute Maximum Ratings / Ta=25
unit
[MOSFET ]
VDSS
- 30
V
VGSS
20
V
DC
ID
- 2
A
IDP
PW 10s, duty cycle 1%
- 8
A
PD
(600mm
2
0.8mm) 1unit
0.9
W
Tch
150
Tstg
- 55 125
[SBD ]
VRRM
11
V
VRSM
15
V
IO
500
mA
IFSM
50Hz 1
5
A
Tj
- 55 125
Tstg
- 55 125
QL
12805PE TS IM TA-100105
CPH5810
CPH5810
No.8206-2/5
Electrical Characteristics / Ta=25
unit
min
typ
max
[MOSFET ]
V(BR)DSS
ID= - 1mA, VGS=0
- 30
V
IDSS
VDS= - 30V, VGS=0
- 1
A
IGSS
VGSS= 16V, VDS=0
10
A
VGS(off)
VDS= - 10V, ID= - 1mA
- 1.2
- 2.6
V
yfs
VDS= - 10V, ID= - 1A
1.4
2.0
S
RDS(on)1
ID= - 1A, VGS= - 10V
110
145
m
RDS(on)2
ID= - 500mA, VGS= - 4V
205
290
m
Ciss
VDS= - 10V, f=1MHz
200
pF
Coss
VDS= - 10V, f=1MHz
47
pF
Crss
VDS= - 10V, f=1MHz
32
pF
td(on)
7.2
ns
tr
2.9
ns
td(off)
21
ns
tf
8.7
ns
Qg
VDS= - 10V, VGS= - 10V, ID= - 2A
5.5
nC
Qgs
VDS= - 10V, VGS= - 10V, ID= - 2A
0.98
nC
Qgd
VDS= - 10V, VGS= - 10V, ID= - 2A
0.82
nC
VSD
IS= - 2A, VGS=0
- 0.85
- 1.5
V
[SBD ]
VR
IR=400A
11
V
VF
IF=500mA
0.4
0.45
V
IR
VR=6V
200
A
C
VR=10V, f=1MHz
50
pF
trr
IF=IR=100mA,
10
ns
unit : mm
2171
1
4
2
5
3
1 : Cathode
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
5 : Anode
Top view
1.6
0.6
0.6
2.8
0.2
2.9
0.05
0.4
0.95
0.2
0.9
0.7
0.15
0.4
1
2
3
4
5
1 : Cathode
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
5 : Anode
SANYO : CPH5
CPH5810
No.8206-3/5
Duty
10%
50
100
10
--5V
trr
100mA
100mA
10mA
10
s
trr
MOSFET
SBD
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
--5.0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
--2
--4
--6
--8
--12
--14
--16
--10
--18
--20
, VGS -- V
RDS(on) -- VGS
, R
DS
(on) -
- m
IT03225
0
0
--0.4
--0.8
--1.6
--2.0
--0.2
--1.2
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--0.1
--0.3
--0.5
--0.7
--0.9
, VDS -- V
ID -- VDS
, I
D
-
- A
VGS= --3.0V
--3.5V
--4.0V
--6.0V
--10.0V
IT03223
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
, VGS -- V
ID -- VGS
, I
D
-
- A
VDS= --10V
25
C
--25
C
Ta=75
C
IT03224
, Ta -- C
RDS(on) -- Ta
, R
DS
(on) -
- m
IT03226
50
100
150
200
250
300
350
400
0
Ta=25C
--1.0A
ID= --0.5A
ID= -
-1.0A, VGS
= --10V
ID= -
-0.5A, V
GS
= --4V
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
PW=10
s
D.C.
1%
P.G
50
G
S
D
ID= --1A
RL=15
VDD= --15V
VOUT
CPH5810
VIN
0V
--10V
VIN
CPH5810
No.8206-4/5
0
1
2
3
4
6
5
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
, Qg -- nC
VGS -- Qg
, V
GS
-
- V
VDS= --10V
ID= --2A
IT03231
, Ta -- C
PD -- Ta
, P
D
-
- W
IT09133
A S O
, VDS -- V
, I
D
-
- A
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
--10
--1.0
--0.1
--0.01
--0.1
2 3
5 7--1.0
--0.01 2 3
5 7
2 3
5 7 --10
2 3
5
IT09132
IDP= --8A
ID= --2A
Operation in this
area is limited by RDS(on).
100
s
100ms
D
C operation
1ms
10ms
<10s
Ta=25C
1
(600mm
2
0.8mm) 1unit
--0.1
--1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
5
3
2
2
10
100
7
5
3
2
1.0
, ID -- A
SW Time -- ID
, SW Time -
- ns
VDD=
--
15V
VGS=
--10
V
td(on)
td(off)
tr
tf
IT03229
Ciss, Coss, Crss -- VDS
, ID -- A
IT03227
--0.01
--0.1
2
3
5 7
2
3
5 7
2
3
5 7
--1.0
--10
10
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
,
y
fs
-
- S
y
fs -- ID
VDS= --10V
75
C
25
C
Ta= -
-25
C
IT03228
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
--1.2
--0.01
--0.1
--10
--1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
, VSD -- V
, I
F
-
- A
IF -- VSD
VGS=0
-
-25
C
25
C
Ta=75
C
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
10
100
3
2
7
5
3
2
, VDS -- V
Ciss, Coss, Crss -
- pF
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
IT03230
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.9
1.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
(600mm
2
0.8mm) 1unit
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
CPH5810
No.8206-5/5












PS
, VR -- V
C -- VR
, C
-- pF
0
2
4
6
8
10
12
, VR -- V
IR -- VR
, I
R
-
- mA
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.01
2
3
0.1
7
7
5
2
3
5
10
2
3
5
100
7
5
3
2
3
2
7
5
0.01
7
0.001
0.1
3
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
2
7
5
3
2
, VF -- V
, I
F
-
- A
IF -- VF
Ta=125C
25C
50C
75C
100C
IT09166
IT09168
IT09167
1.0
10
2
3
5
7
3
5
7
2
[SBD]
[SBD]
[SBD]
[SBD]
Ta=125
C
--25
C
75
C
25
C
7 0.01
2
3
7 0.1
0
5
2
2
3
7 1.0
5
7
5
6
4
3
2
1
3
, t -- s
IFSM -- t
, I
FSM()
-
- A
ID00387
IS
20ms
t
50Hz
MOSFET