ChipFind - документация

Электронный компонент: BPX85

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Semiconductor Group
1
BPX 80
BPX 82 ... 89
NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen
Silicon NPN Phototransistor Arrays
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feo06367
fez06365
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 440 nm bis 1070 nm
q
Hohe Linearitt
q
Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem
Epoxy
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Lochstreifenleser
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
440 nm to 1070 nm
q
High linearitt
q
Multiple-digit array package of transparent
epoxy
q
Available in groups
Applications
q
Miniature photointerrupters
q
Punched tape reading
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
BPX 80
BPX 82 ... 89
03.96
Semiconductor Group
2
BPX 80
BPX 82 ... 89
Typ
Type
Transistoren
pro Zeile
Number of Transistors
per Array
Mae "A"
Dimensions "A"
Bestellnummer
Ordering Code
min
max
BPX 82
2
4.5
4.9
Q62702-P21
BPX 83
3
7.0
7.4
Q62702-P25
BPX 84
4
9.6
10
Q62702-P30
BPX 85
5
12.1
12.5
Q62702-P31
BPX 86
6
14.6
15
Q62702-P22
BPX 87
7
17.2
17.6
Q62702-P32
BPX 88
8
19.7
20.1
Q62702-P33
BPX 89
9
22.3
22.7
Q62702-P26
BPX 80
10
24.8
25.2
Q62702-P28
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 80
C
Lttemperatur bei Tauchltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
3 s
Dip soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
3 s
T
S
230
C
Lttemperatur bei Kolbenltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
5 s
Iron soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
5 s
T
S
300
C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
32
V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
50
mA
Semiconductor Group
3
BPX 80
BPX 82 ... 89
Kollektorspitzenstrom,
<
10
s
Collector surge current
I
CS
200
mA
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
90
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
750
K/W
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
440 ... 1070
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
0.17
mm
2
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
B
L
W
0.6
0.6
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
1.3 ... 1.9
mm
Halbwinkel
Half angle
18
Grad
deg.
Kapazitt
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
C
CE
6
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
I
CEO
25 (
200)
nA
Grenzwerte
Maximum Ratings
(cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Semiconductor Group
4
BPX 80
BPX 82 ... 89
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures
Die gelieferten Bauelemente sind mit -A, -B, -C gekennzeichnet. Wegen Ausbeuteschwankungen ist jedoch die
Bestellung einer definierten Gruppe -A, -B, -C nicht mglich.
For delivery the components are marked -A, -B, -C. Due to differing yields, it is not possible to order a definite
group.
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Werte
Value
Einheit
Unit
-A
-B
-C
Fotostrom,
=
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
0.32 ... 0.63
1.7
0.40 ... 0.80
2.2
0.5
2.7
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
t
r
,
t
f
5.5
6
8
s
Kollektor-Emitter-
Sttigungsspannung
Collector-emitter
saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
150
150
150
mV
Semiconductor Group
5
BPX 80
BPX 82 ... 89
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Collector-emitter capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)