Semiconductor Group
1
1997-11-01
GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen
GaAs Infrared Emitter Arrays
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlssigkeit
q
Gehusegleich mit BPX 80-Serie
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Lochstreifenleser
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
Same package as BPX 80 series
Applications
q
Miniature photointerrupters
q
Punched tape-readers
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
LD 260
LD 262 ... LD 269
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fez06365
feo06367
GEO06367
7.4
7.0
0.7
0.6
Collector (BPX 83)
Cathode (LD 263)
2.54 mm
spacing
1.5
2.1
2.7
2.5
3.2
3.6
3.0
3.5
1.9
1.7
position
Chip
0.25
0.15
0 ... 5
1.4
1.0
A
0.4
0.4
0.5
A
Semiconductor Group
2
1997-11-01
LD 260
LD 262 ... LD 269
Grenzwerte (
T
A
= 25
C)
Maximum Ratings
Typ
Type
IRED
pro Zeile
per Row
Ma "A"
Dimension "A"
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
min.
max.
LD 262
2
4.5
4.9
Q62703-Q70
Zeilenbauform, Leiterbandgehuse,
klares Epoxy-Gieharz, linsenfrmig,
Anschlsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
''),
Kathodenkennzeichnung:
Nase am Ltspie
Lead frame arrays, transparent epoxy
resin lens, solder tabs, lead spacing
2.54 mm (
1
/
10
''), cathode marking:
projection at solder lead
LD 263
3
7
7.4
Q62703-Q71
LD 264
4
9.6
10
Q62703-Q72
LD 265
5
12.1
12.5
Q62703-Q73
LD 266
6
14.6
15
Q62703-Q74
LD 267
7
17.2
17.6
Q62703-Q75
LD 268
8
19.7
20.1
Q62703-Q76
LD 269
9
22.3
22.7
Q62703-Q77
LD 260
10
24.8
25.2
Q62703-Q78
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 80
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
80
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlastrom
Forward current
I
F
50
mA
Stostrom,
10
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
1.6
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
70
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
R
thJL
750
650
K/W
K/W
LD 260
LD 262 ... LD 269
Semiconductor Group
3
1997-11-01
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
peak
950
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 50 m A,
t
p
= 20 ms
55
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
15
Grad
deg.
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.25
mm
2
Abmessungen der aktive Chipflche
Dimension of the active chip area
L
B
L
W
0.5
0.5
mm
Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
H
1.3 ... 1.9
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10%, bei
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
1
s
Kapazitt,
V
R
= 0 V
Capacitance
C
o
40
pF
Durchlaspannung,
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20
s
Forward voltage
V
F
1.25
(
1.4)
V
Sperrstrom,
V
R
= 5 V
Reverse current
I
R
0.01
(
1
)
A
Gesamtstrahlungsflu,
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Total radiant flux
e
9
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 50 mA
TC
I
0.55
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 50 mA
TC
V
1.5
mV/K
Temperaturkoeffizient von
peak
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
peak
,
I
F
= 50 mA
TC
0.3
nm/K
Strahlstrke,
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Radiant intensity
I
e
typ. 5 (
2.5)
mW/sr
Semiconductor Group
4
1997-11-01
LD 260
LD 262 ... LD 269
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current
I
F
=
f
(
V
E
), single pulse,
t
p
= 20
s
OHRD1938
rel
0
880
920
960
1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
V
OHR01042
F
F
1
1
10
0
10
-1
10
10
-2
A
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5
max.
typ.
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
s
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
),
T
C
= 25
C,
duty cycle
D
= parameter
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
OHR01039
F
-1
10
10
0
1
10
2
10
10
-2
-1
10
0
10
A
10
1
e
e
(100 mA)
10
F
OHR02182
1
2
10
3
10
4
10
mA
-5
10
10
-4
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
s
T
=
D
F
T
DC
0,5
0,2
0,1
0,05
0
0,005
0,01
0,02
=
D
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
T
OHR01124
A
0
F
0
20
40
60
80
100
C
mA
10
20
30
40
50
60
70
80
T
L
,
R
thJL
= 650 K/W
= 750 K/W
thJA
R
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(
)
OHR01878
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
PDF 
ZIP