Semiconductor Group
1
1997-11-01
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlssigkeit
q
Gruppiert lieferbar
q
Gehusegleich mit BPX 81
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Lochstreifenleser
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
Available in bins
q
Same package as BPX 81
Applications
q
Miniature photointerrupters
q
Punched tape readers
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
LD 261
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
GEO06021
2.4
2.1
0.7
0.6
Collector (BPX 81)
Cathode (LD 261)
2.54 mm spacing
1.5
2.1
2.7
2.5
3.2
3.6
3.0
3.5
1.9
1.7
position
Chip
0.25
0.15
1.4
1.0
A
A
0.4
0.5
0.4
Radiant sensitive area
(0.4 x 0.4)
Approx. weight 0.03 g
Detaching area for tools, flash not true to size.
1)
5
...
0
feo06021
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
LD 261
Q62703-Q395
Leiterbandgehuse, klares Epoxy-Gieharz, linsenfr-
mig im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
''), Kathodenkennzeich-
nung: Nase am Ltspie
Lead frame, transparent epoxy resin lens, solder tabs
lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
''), cathode marking: projec-
tion at solder lead
LD 261-5
Q62703-Q67
Semiconductor Group
2
1997-11-01
LD 261
Grenzwerte (
T
A
= 25
C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 80
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
80
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlastrom
Forward current
I
F
50
mA
Stostrom,
10
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
1.6
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
70
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
R
thJL
750
650
K/W
K/W
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
peak
950
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 50 m A,
t
p
= 20 ms
55
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
15
Grad
deg.
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.25
mm
2
Abmessungen der aktiven Chipflche
Dimension of the active chip area
L
B
L
W
0.5
0.5
mm
Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
H
1.3 ... 1.9
mm
LD 261
Semiconductor Group
3
1997-11-01
Gruppierung der Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
1
s
Kapazitt,
V
R
= 0 V
Capacitance
C
o
40
pF
Durchlaspannung
Forward voltage
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20
s
V
F
1.25
(
1.4)
V
Sperrstrom,
V
R
= 5 V
Reverse current
I
R
0.01
(
1
)
A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
e
9
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 50 mA
TC
I
0.55
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 50 mA
TC
V
1.5
mV/K
Temperaturkoeffizient von
peak
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
peak
,
I
F
= 50 mA
TC
0.3
nm/K
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LD 261
LD 261-5
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
I
e
2 ... 6.3
3.2 ... 6.3
mW/sr
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Semiconductor Group
4
1997-11-01
LD 261
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
s
OHRD1938
rel
0
880
920
960
1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
V
OHR01042
F
F
1
1
10
0
10
-1
10
10
-2
A
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5
max.
typ.
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
s
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
),
T
C
= 25
C,
duty cycle
D
= parameter
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
OHR01039
F
-1
10
10
0
1
10
2
10
10
-2
-1
10
0
10
A
10
1
e
e
(100 mA)
10
F
OHR02182
1
2
10
3
10
4
10
mA
-5
10
10
-4
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
s
T
=
D
F
T
DC
0,5
0,2
0,1
0,05
0
0,005
0,01
0,02
=
D
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
T
OHR01124
A
0
F
0
20
40
60
80
100
C
mA
10
20
30
40
50
60
70
80
T
L
,
R
thJL
= 650 K/W
= 750 K/W
thJA
R
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(
)
OHR01878
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
PDF 
ZIP