BPY 64 P
Semiconductor Group
197
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1060 nm
q
Kathode = Chipunterseite
q
Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht
berzogen
q
Weiter Temperaturbereich
Anwendungen
q
fr Me
-, Steuer- und Regelzwecke
q
zur Abtastung von Lichtimpulsen
q
quantitative Lichtmessung im sichtbaren
Licht- und nahen Infrarotbereich
Features
q
Especially suitable for applications from
420 nm to 1060 nm
q
Cathode = back contact
q
Coated with a humidity-proof protective
layer
q
Wide temperature range
Applications
q
For control and drive circuits
q
Light pulse scanning
q
Quantitative light measurements in the
visible light and near infrared range
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPY 64 P
Q60215-Y67
Silizium-Fotoelement
Silicon Photovoltaic Cell
BPY 64 P
Ma
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fso06636
10.95
BPY 64 P
Semiconductor Group
198
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
-
55 ...
+
100
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
1
V
Kennwerte (
T
A
= 25
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
C, standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 0 V
Spectral sensitivity
S
0.25 ( 0.18)
A/Ix
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
420 ... 1060
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
0.36
cm
2
Abmessungen der
bestrahlungsempfindlichen Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
B
L
W
5.98
5.98
mm
Halbwinkel
Half angle
60
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
=
1 V;
E
=
0
Dark current
I
R
4 (
80)
A
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
= 850 nm
Spectral sensitivity
S
0.50
A/W
Quantenausbeute,
= 850 nm
Quantum yield
0.72
Electrons
Photon
Leerlaufspannung,
E
v
= 1000 Ix
Open-circuit voltage
V
O
450 (
280)
mV
Kurzschlu
strom,
E
v
= 1000 Ix
Short-circuit current
I
SC
0.25 (
0.18)
mA
BPY 64 P
Semiconductor Group
199
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 1 k
;
V
R
= 1 V;
= 850 nm;
I
p
= 50
A
t
r
,
t
f
5
s
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
TC
V
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
TC
I
0.2
%/K
Kapazitt,
V
R
= 1 V,
f
= 1 MHz,
E
v
= 0 Ix
Capacitance
C
0
3
nF
Kennwerte (
T
A
= 25
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
C, standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(
E
v
)
Short-circuit current
I
SC
=
f
(
E
v
)
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
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