TP 61 P
Semiconductor Group
204
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1120 nm
q
Kathode = Chipunterseite
q
Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht
berzogen
q
Weiter Temperaturbereich
Anwendungen
q
fr Me
-, Steuer- und Regelzwecke
q
zur Abtastung von Lichtimpulsen
q
quantitative Lichtmessung im sichtbaren
Licht- und nahen Infrarotbereich
Features
q
Especially suitable for applications from
400 nm to 1120 nm
q
Cathode = back contact
q
Coated with a humidity-proof protective
layer
q
Wide temperature range
Applications
q
For control and drive circuits
q
Light pulse scanning
q
Quantitative light measurements in the
visible light and near infrared range
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
TP 61 P
Q62607-S61
Silizium-Fotoelement
Silicon Photovoltaic Cell
TP 61 P
Ma
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fso06637
10.95
TP 61 P
Semiconductor Group
205
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
1
V
Kennwerte (
T
A
= 25
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
C, standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 0 V
Spectral sensitivity
S
1 (
0.7)
A/Ix
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
900
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
400 ... 1120
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
1.3
cm
2
Form der bestrahlungsempfindlichen Flche
Shape of radiant sensitive area
Sechseck
hexagon
Halbwinkel
Half angle
60
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 1 V
Dark current
I
R
0.1 (
2)
A
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
= 850 nm
Spectral sensitivity
S
0.55
A/W
Quantenausbeute,
= 850 nm
Quantum yield
0.80
Electrons
Photon
Leerlaufspannung,
Open-circuit voltage
E
v
= 1000 Ix
E
e
= 0.5 mW/cm
2
;
= 850 nm
V
O
V
O
450 (
270)
430
mV
mV
TP 61 P
Semiconductor Group
206
Kurzschlu
strom,
E
v
= 1000 Ix
Short-circuit current
E
v
= 1000 Ix
E
e
= 0.5 mW/cm
2
;
= 850 nm
I
SC
I
SC
1 (
0.7)
380
mA
A
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 1 k
;
V
R
= 1 V;
= 850 nm;
I
p
= 50
A
t
r
,
t
f
18
s
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
TC
V
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
TC
I
0.12
%/K
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
v
= 0 Ix
Capacitance
C
0
11
nF
Kennwerte (
T
A
= 25
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
C, standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
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