Semiconductor Group
469
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray
6-Chip Silicon PIN Photodiode Array
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (KOM
2100 B) und bei 880 nm (KOM 2100 BF)
q
Kurze Schaltzeit (typ. 13 ns)
q
Kathode = Chipunterseite
q
Geeignet fr Diodenbetrieb (mit
Vorspannung) und Elementbetrieb
q
SMT-fhig
Anwendungen
q
Universell, z.B. Drehwinkelgeber
Features
q
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (KOM 2100 B) and of
880 nm (KOM 2100 BF)
q
Short switching time (typ. 13 ns)
q
Cathode = back contact
q
Available as photodiode with reverse
voltage or photovoltaic cell
q
Suitable for SMT
Applications
q
General-purpose, e.g. encoders
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
KOM 2100 B
Q62702-K35
Platine mit SMT-Flanken, Abdeckrahmen mit
klarem bzw. schwarzem Epoxyvergu
pcb with SMT flanks, cover frame sealed with
transparent or black epoxy
KOM 2100 BF
Q62702-K34
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feof6529
feo06529
10.95
Semiconductor Group
470
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
A
;
T
stg
40 ... + 80
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
20
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
150
mW
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm) fr jede Einzeldiode
Characteristics (
T
A
= 25
C,
= 950 nm) per single diode
Bezeichnung
Description
Sym-
bol
Wert
Value
Einheit
Unit
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
S
9 (
7)
8.5 (
6.6)
A
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
870
870
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
400 ... 1100
730 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
2.5
2.5
mm
2
Abmessung der
bestrahlungsempfinlichen Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
B
L
W
1
2.5
1
2.5
mm x mm
Abstand Chipoberflche zu Vergu
ober-
flche
Distance chip front to case seal
H
0.4 ... 0.6
0.4 ... 0.6
mm
Halbwinkel
Half angle
60
60
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
I
R
1 (
10)
1 (
10)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
S
0.68
0.64
A/W
Semiconductor Group
471
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Quantenausbeute
Quantum yield
0.9
0.85
Electrons
Photon
Maximale Abweichung der
Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert
Max. deviation of the system spectral
sensitivity from the average
S
10
10
%
Kurzschlustrom,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
I
SC
8.5
8
A
Leerlaufspannung,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
V
O
320 (
250)
320 (
250)
mV
Anstiegszeit/Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
,
V
R
= 10 V;
= 850 nm;
I
P
= 800
A
t
r
,
t
f
13
13
ns
Durchlaspannung,
I
F
= 100 mA;
E
= 0
Forward voltage
V
F
1.2
1.2
V
Kapazitt
Capacitance
V
R
= 0 V
; f
= 1 MHz;
E
= 0
C
0
25
25
pF
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
TC
V
2.6
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
P
Temperature coefficient of
I
P
TC
I
0.18
0.18
%/K
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V
NEP
2.6
10
14
2.8
10
14
W
Hz
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V
Detection limit
D*
6.1
10
12
5.7
10
12
cm
Hz
W
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm) fr jede Einzeldiode
Characteristics (
T
A
= 25
C,
= 950 nm) per single diode
Bezeichnung
Description
Sym-
bol
Wert
Value
Einheit
Unit
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Semiconductor Group
472
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Relative spectral sensitivity
KOM 2100 B,
S
rel
=
f
(
)
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Relative spectral sensitivity
KOM 2100 BF,
S
rel
=
f
(
)
Dark current
I
R
=
f
(
V
R
)
,
E
= 0
Photocurrent,
I
P
=
f
(
E
e
);
V
R
= 5 V,
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(
E
e
)
Capacitance
C
=
f
(
V
R
)
,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dark current
I
R
=
f
(
T
A
),
V
R
= 10 V
, E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
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