Semiconductor Group
1
SFH 320
SFH 320 FA
NPN-Silizium-Fototransistor im
SMT TOPLED
-Gehuse
Silicon NPN Phototransistor in
SMT TOPLED
-Package
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fpl06724
fplf6724
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 380 nm bis 1150 nm
(SFH 320) und bei 880 nm (SFH 320 FA)
q
Hohe Linearitt
q
P-LCC-2 Gehuse
q
Gruppiert lieferbar
q
fr alle Ltverfahren geeignet
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Lochstreifenleser
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
380 nm to 1150 nm (SFH 320) and of
880 nm (SFH 320 FA)
q
High linearity
q
P-LCC-2 package
q
Available in groups
q
Suitable for all soldering methods
Applications
q
Miniature photointerrupters
q
punched tape readers
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
SFH 320
SFH 320 FA
01.97
Semiconductor Group
2
SFH 320
SFH 320 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 320
Q62702-P0961
SFH 320 FA
(*SFH 320 F)
Q62702-P0988
SFH 320-3
Q62702-P390
SFH 320 FA-3
(*SFH 320 F-3)
Q62702-P393
SFH 320-4
Q62702-P1606
SFH 320 FA-4
(*SFH 320 F-4)
Q62702-P1607
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
35
V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
15
mA
Kollektorspitzenstrom,
<
10
s
Collector surge current
I
CS
75
mA
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
165
mW
Wrmewiderstand fr Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb
R
thJA
450
K/W
Semiconductor Group
3
SFH 320
SFH 320 FA
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 320
SFH 320 FA
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
860
900
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
380 ... 1150
730 ... 1120
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
(
240
m)
Radiant sensitive area
A
0.045
0.045
mm
2
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
B
L
W
0.45
0.45
0.45
0.45
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
0.5 ... 0.7
0.5 ... 0.7
mm
Halbwinkel
Half angle
60
60
Grad
deg.
Kapazitt,
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
CE
5.0
5.0
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
I
CEO
1 (
200)
1 (
200)
nA
Semiconductor Group
4
SFH 320
SFH 320 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH
320/FA
-2
-3
-4
Fotostrom,
=
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.1 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 320:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard
light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
16
16 ... 32
420
25 ... 50
650
40
1000
A
A
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
t
r
,
t
f
7
6
7
8
s
Kollektor-Emitter-
Sttigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
0.3,
E
e
= 0.1 mW/cm
2
V
CEsat
150
150
150
150
mV
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
Semiconductor Group
5
SFH 320
SFH 320 FA
Relative spectral sensitivity, SFH 320
S
rel
=
f
(
)
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
CEO
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
, E
= 0
Relative spectral sensitivity, SFH 320 FA
S
rel
=
f
(
)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
V
CE
),
E
e
= Parameter
Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Dark current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
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