ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62702-P15

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Semiconductor Group
217
BPX 38
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 450 nm bis 1120 nm
q
Hohe Linearitt
q
Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
mit Basisanschlu
, geeignet bis 125
C
1)
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
450 nm to 1120 nm
q
High linearity
q
Hermetically sealed metal package (TO-18)
with base connection, suitable up to 125
C
1)
q
Available in groups
Applications
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Ma
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
fmo06018
BPX 38
1)
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPX 38
Q62702-P15
BPX 38-2
Q62702-P15-S2
BPX 38-3
Q62702-P15-S3
BPX 38-4
Q62702-P15-S4
BPX 38-5
1)
Q 62702-P15-S5
10.95
BPX 38
Semiconductor Group
218
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 125
C
Lttemperatur bei Tauchltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
5 s
Dip soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
5 s
T
S
260
C
Lttemperatur bei Kolbenltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
3 s
Iron soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
3 s
T
S
300
C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
50
V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
50
mA
Kollektorspitzenstrom,
<
10
s
Collector surge current
I
CS
200
mA
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
V
EB
7
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
220
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
450
K/W
Semiconductor Group
219
BPX 38
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
880
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
450 ... 1120
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
0.675
mm
2
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
B
L
W
1
1
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
2.05 ... 2.35
mm
Halbwinkel
Half angle
40
Grad
deg.
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CB
= 5 V
I
PCB
I
PCB
1.8
5.5
A
A
Kapazitt
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
C
CE
C
CB
C
EB
23
39
47
pF
pF
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
I
CEO
20 (
300)
nA
BPX 38
Semiconductor Group
220
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einh.
Unit
-2
-3
-4
-5
Fotostrom,
=
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
0.2 ... 0.4
0.95
0.32 ... 0.63
1.5
0.5 ... 1.0
2.3
0.8
3.6
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
t
r
,
t
f
9
12
15
18
s
Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
0.3
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
200
200
200
200
mV
Stromverstrkung
Current gain
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCB
170
280
420
650
Semiconductor Group
221
BPX 38
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Output characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Output characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Dark current
I
CEO
/
I
CEO25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Collector-emitter capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
BPX 38
Semiconductor Group
222
Collector-base capacitance
C
CB
=
f
(
V
CB
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Emitter-base capacitance
C
EB
=
f
(
V
EB
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)