ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62702-P1668

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Semiconductor Group
1
1997-11-27
SFH 314
SFH 314 FA
.
Neu: NPN-Silizium-Fototransistor
New: Silicon NPN Phototransistor
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 314)
und bei 880 nm (SFH 314 FA)
q
Hohe Linearitt
q
5 mm-Plastikbauform
Anwendungen
q
Computer-Blitzlichtgerte
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
460 nm to 1080 nm (SFH 314) and of
880 nm (SFH 314 FA)
q
High linearity
q
5 mm plastic package
Applications
q
Computer-controlled flashes
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
SFH 314
SFH 314 FA
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.9
5.5
0.6
0.4
5.1
4.8
2.54 mm
spacing
5.7
5.5
6.9
6.1
4.0
3.4
29.5
27.5
1.8
1.2
0.8
0.4
Area not flat
0.6
0.4
Cathode (Diode)
Chip position
GEX06630
Approx. weight 0.4 g
Collector (Transistor)
f
eof
6652
f
eo06652
SFH 314
SFH 314 FA
Semiconductor Group
2
1997-11-27
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 314
SFH 314-2
SFH 314-3
Q62702-P1668
Q62702-P1755
Q62702-P1756
SFH 314 FA
SFH 314 FA-2
SFH 314 FA-3
Q62702-P1675
Q62702-P1757
Q62702-P1758
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Lttemperatur bei Tauchltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
5 s
Dip soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
5 s
T
S
260
C
Lttemperatur bei Kolbenltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
3 s
Iron soldering temperature
2 mm distance
from case bottom
t
3 s
T
S
300
C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
70
V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
50
mA
Kollektorspitzenstrom,
<
10
s
Collector surge current
I
CS
100
mA
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
V
EC
7
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
200
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
375
K/W
Semiconductor Group
3
1997-11-27
SFH 314
SFH 314 FA
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 314
SFH 314 FA
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
850
870
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
460 ... 1080
740 ... 1080
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
0.55
0.55
mm
2
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
B
L
W
1
1
1
1
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
3.4 ... 4.0
3.4 ... 4.0
mm
Halbwinkel
Half angle
40
40
Grad
deg.
Kapazitt,
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
CE
15
15
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 10 V,
E
= 0
I
CEO
10 (
200)
10 (
200)
nA
Fotostrom,
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
0.63
7
0.63
mA
mA
SFH 314
SFH 314 FA
Semiconductor Group
4
1997-11-27
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-1
-2
-3
-4
Fotostrom,
=
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 314:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/
standard light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
0.63 ... 1.25
3.4
1 ... 2
5.4
1.6 ... 3.2
8.6
2.5
13.5
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
t
r
,
t
f
8
10
12
14
s
Kollektor-Emitter-
Sttigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
150
150
150
150
mV
OHF02329
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Semiconductor Group
5
1997-11-27
SFH 314
SFH 314 FA
T
A
=
25
C,
=
950 nm
Rel. spectral sensitivity SFH 314
S
rel
=
f
(
)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V, normalized to 25
o
C
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
V
CE
),
E
e
= parameter
OHF02332
0
rel
S
400
10
20
30
40
50
60
70
80
%
100
500 600 700 800 900
nm 1100
T
OHF01524
A
0
-25
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
PCE
PCE
25
C
V
OHF02338
CE
PCE
0
10
0
-1
10
10
20
30
40
50
V
70
10
1
mA
0.5
mW
cm
2
2
cm
mW
1
2
cm
mW
0.25
0.1
mW
cm
2
Rel. spectr.sensitivity SFH 314 FA,
S
rel
=
f
(
)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
OHF02331
0
rel
S
400
10
20
30
40
50
60
70
80
%
100
500 600 700 800 900
nm 1100
E
OHF02339
e
PCE
10
0
-2
10
10
-1
1
10
mA
10
-3
-2
10
0
10
mW/cm
2
10
-3
T
OHF02340
A
0
tot
P
0
20
40
60
80 C 100
50
100
150
200
250
mW
Dark current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Collector-emitter capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz
Dark current
I
CEO
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 10 V,
E
= 0
V
OHF02341
CE
0
CEO
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
nA
10
20
30
40
50
70
V
V
OHF02344
CE
CE
C
0
10
-2
-1
10
0
10
1
10
10
2
V
10
20
30
40
pF
50
T
OHF02342
A
0
CEO
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
nA
20
40
60
80
100
C