Semiconductor Group
1
SFH 309 P
SFH 309 PFA
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 380 nm bis 1180 nm
(SFH 309 P) und bei 880 nm (SFH 309 PFA)
q
Hohe Linearitt
q
3 mm plane Plastikbauform im LED-Gehuse
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
380 nm to 1180 nm (SFH 309 P) and of
880 nm (SFH 309 PFA)
q
High linearity
q
3 mm plane LED plastic package
q
Available in groups
Applications
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
SFH 309 P
SFH 309 PFA
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
feo06445
feof6445
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 309 P
Q62702-P245
SFH 309 PFA
(*SFH 309 PF)
Q62702-P246
01.97
Semiconductor Group
2
SFH 309 P
SFH 309 PFA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Lttemperatur bei Tauchltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
5 s
Dip soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
5 s
T
S
260
C
Lttemperatur bei Kolbenltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
3 s
Iron soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
3 s
T
S
300
C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
35
V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
15
mA
Kollektorspitzenstrom,
<
10
s
Collector surge current
I
CS
75
mA
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
165
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
450
K/W
Semiconductor Group
3
SFH 309 P
SFH 309 PFA
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 309 P
SFH 309 PFA
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
860
900
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
380 ... 1180
730 ... 1120
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche (
240
m
)
Radiant sensitive area
A
0.045
0.045
mm
2
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
B
L
W
0.45
0.45
0.45
0.45
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
0.4 ... 0.8
0.4 ... 0.8
mm
Halbwinkel
Half angle
75
75
Grad
deg.
Kapazitt,
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
CE
5.0
5.0
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
I
CEO
1 (
200)
1 (
200)
nA
Semiconductor Group
4
SFH 309 P
SFH 309 PFA
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotostrom,
=
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 309 P:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
63
420
A
A
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
t
r
,
t
f
6
s
Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
= 20
A ,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
150
mV
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
Semiconductor Group
5
SFH 309 P
SFH 309 PFA
Relative spectral sensitivity,
SFH 309 P
S
rel
=
f
(
)
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
CEO
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Relative spectral sensitivity,
SFH 309 PFA
S
rel
=
f
(
)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
V
CE
),
E
e
= Parameter
Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Dark current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
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