BPX 48
BPX 48 F
Semiconductor Group
348
Silizium-Differential-Fotodiode
Silicon Differential Photodiode
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (BPX 48)
und bei 920 nm (BPX 48 F)
q
Hohe Fotoempfindlichkeit
q
DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
q
Doppeldiode mit extrem hoher
Gleichm
igkeit
Anwendungen
q
Nachlaufsteuerung
q
Kantenfhrungen
q
Weg- bzw. Winkelabtastungen
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (BPX 48) and of 920 nm
(BPX 48 F)
q
High photosensitivity
q
DIL plastic package with high packing
density
q
Double diode with extremely high
homogeneousness
Application
q
Follow-up control
q
Edge control
q
Path and angle scanning
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
BPX 48
BPX 48 F
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feo06638
feof6638
10.95
BPX 48
BPX 48 F
Semiconductor Group
349
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPX 48
Q62702-P17-S1
BPW 48 F
Q62702-P305
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 80
C
Lttemperatur (Ltstelle 2 mm vom
Gehuse entfernt bei Ltzeit
t
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
3 s)
T
S
230
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
10
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
50
mW
Kennwerte (
T
A
= 25
C) fr jede Einzeldiode
Characteristics (
T
A
= 25
C) per single diode system
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BPX 48
BPX 48 F
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K,
V
R
= 5 V,
= 950 nm,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
S
S
24 (
15)
7.5 (
4.0)
nA/Ix
A
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
900
920
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
400 ... 1150 750 ... 1150 nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
1.54
1.54
mm
2
BPX 48
BPX 48 F
Semiconductor Group
350
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
B
L
W
0.7
2.2
0.7
2.2
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
0.5
0.5
mm
Halbwinkel
Half angle
60
60
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
I
R
10 (
100)
10 (
100)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
= 850 nm
= 950 nm
S
S
0.55
0.65
A/W
Max. Abweichung der Fotoempfindlichkeit
der Systeme vom Mittelwert
Max. deviation of the system spectral
sensitivity from the average
S
5
5
%
Quantenausbeute
Quantum yield
= 850 nm
= 950 nm
0.8
0.95
Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
= 950 nm
V
O
V
O
330 (
280)
300 (
280)
mV
mV
Kurzschlustrom
Short-circuit current
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
, l = 950 nm
I
SC
I
SC
24
7
A
A
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 1 k
;
V
R
= 5 V;
= 850 nm;
I
p
= 20
A
t
r
,
t
f
500
500
ns
Durchlaspannung,
I
F
= 40 mA,
E
= 0
Forward voltage
V
F
1.3
1.3
V
Kennwerte (
T
A
= 25
C) fr jede Einzeldiode
Characteristics (
T
A
= 25
C) per single diode system
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BPX 48
BPX 48 F
BPX 48
BPX 48 F
Semiconductor Group
351
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
0
25
25
pF
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
TC
V
2.6
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Normlicht/standard light A
= 950 nm
TC
I
TC
I
0.18
0.2
%/K
%/K
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V,
= 950 nm
NEP
1.0
10
13
1.0
10
13
W
Hz
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V,
= 950 nm
Detection limit
D*
1.2
10
12
1.2
10
12
cm
Hz
W
Kennwerte (
T
A
= 25
C) fr jede Einzeldiode
Characteristics (
T
A
= 25
C) per single diode system
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BPX 48
BPX 48 F
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
BPX 48
BPX 48 F
Semiconductor Group
352
Relative spectral sensitivity BPX 48
S
rel
=
f
(
)
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
e
),
V
R
= 5 V
Open-circuit-voltage
V
O
=
f
(
E
e
)
BPX 48 F
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Relative spectral sensitivity BPX 48 F
S
rel
=
f
(
)
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(
T
A
),
V
R
= 10 V
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit-voltage
V
O
=
f
(
E
v
)
BPX 48
Dark current
I
R
=
f
(
V
R
),
E
= 0
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