Semiconductor Group
1
1998-08-25
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
SFH 4860
Q62702-P5053
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, Plankappe,
Anschlsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
''),
Anodenkennzeichnung: Nase am Gehuseboden
18 A3 DIN 870 (TO -18), flat glass cap, lead spacing
2.54 mm (
1
/
10
''),
anode marking: projection at package bottom
Wesentliche Merkmale
q
Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne
IR-Anteil
q
Kathode galvanisch mit dem
Gehuseboden verbunden
q
Sehr hoher Wirkungsgrad
q
Hohe Zuverlssigkeit
q
Kurze Schaltzeiten
Anwendungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz
q
Hermetisch dichtes Gehuse
Features
q
Radiation without IR in the visible red range
q
Cathode is electrically connected to the case
q
Very high efficiency
q
High reliability
q
Short switching time
Applications
q
Photointerrupters
q
Hermetically sealed package
GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)
GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fmo06983
4.8
(2.7)
GMO06983
4.6
4.05
3.45
Chip position
14.5
12.5
0.45
spacing
Cathode
0.9
1.1
1.1
0.9
5.5
5.2
2.54 mm
Flat glass cap
2.54
SFH 4860
SFH 4860
Semiconductor Group
2
1998-08-25
Grenzwerte (
T
A
= 25
C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 125
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
125
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
3
V
Durchlastrom
Forward current
I
F
50
mA
Stostrom,
t
p
=
10
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
1
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
140
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
R
thJC
450
160
K/W
K/W
Semiconductor Group
3
1998-08-25
SFH 4860
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 50 mA
peak
660
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 50 m A
25
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
50
Grad
deg.
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.106
mm
2
Abmessungen der aktiven Chipflche
Dimension of the active chip area
L
B
L
W
0.325
0.325
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %,
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
100
ns
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Capacitance
C
o
30
pF
Durchlaspannung,
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Forward voltage
V
F
2
(
2.8)
V
Sperrstrom,
V
R
= 3 V
Reverse current
I
R
0.01
(
10
)
A
Gesamtstrahlungsflu,
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Total radiant flux
e
3
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 50 mA
TC
I
0.4
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 50 mA
TC
V
3
mV/K
Temperaturkoeffizient von
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
,
I
F
= 50 mA
TC
+ 0.16
nm/K
SFH 4860
Semiconductor Group
4
1998-08-25
Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
I
e min
I
e typ
0.63
1.3
mW/sr
mW/sr
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
I
e typ
15
mW/sr
Semiconductor Group
5
1998-08-25
SFH 4860
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
s
OHR01869
0
rel
600
20
40
60
80
%
100
nm
650
700
750
V
OHR01871
F
F
0
3
10
2
10
1
10
10
0
mA
2
4
6
8
V 10
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
s
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
),
T
A
= 25
C,
duty cycle
D
= parameter
I
e
I
e
50 mA
=
f
(
I
F
)
OHR01870
10
0
F
1
10
2
10
10
3
mA
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
e 50 mA
e
t
OHR01872
P
10
-5
s
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
1
10
T
t
P
D =
t
P
T
F
D =
0.005
0.01
0.02
0.05
mA
4
10
10
3
10
2
1
10
DC
0.5
0.2
0.1
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
C
),
R
thJC
= 160 K/W
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
),
R
thJA
= 450 K/W
T
OHR00390
A
0
F
0
C
20
40
60
80
100
120
mA
20
40
60
80
100
130
T
OHR00391
A
0
F
0
C
20
40
60
80
100
120
mA
20
40
60
80
100
130
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(
)
OHR00389
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
PDF 
ZIP