Semiconductor Group
1
1997-11-19
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
NEU: in SMT
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
NEW: in SMT
BP 104 F
BP 104 FS
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
4.5
4.3
4.0
3.7
1.5
1.7
0.9
0.7
Photosensitive area
Cathode lead
GEO06861
0.3
6.7
6.2
1.2
1.1
0...0.1
Chip position
0...5
0.2
0.1
1.1
0.9
2.20 mm x 2.20 mm
1.6
1.2
GEO06075
4.0
3.7
4.3
4.5
5.4
4.9
0.6
0.4
0.6
0.4
1.2
0.7
0.3
0.5
0.8
0.6
Cathode marking
0.6
0.8
1.9
2.2
3.0
3.5
0.6
0.4
Chip position
0.4
0.6
0.35
0.2
0 ... 5
5.08 mm
spacing
Approx. weight 0.1 g
1.2
Photosensitive area
2.20 mm x 2.20 mm
1.6
feo06075
feo06861
BP 104 F
BP 104 FS
Semiconductor Group
2
1997-11-19
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen
bei 950 nm
q
kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
q
DIL-Plastikbauform mit hoher Packungs-
dichte
q
BP 104 FS: geeignet fr Vapor-Phase
Lten und IR-Reflow Lten
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgerten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gertefernsteuerungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
BP 104 F
(*BP 104 )
Q62702-P84
BP 104 FS
Q62702-P1646
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 85
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
20
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
P
tot
150
mW
Features
q
Especially suitable for applications
of 950 nm
q
Short switching time (typ. 20 ns)
q
DIL plastic package with high packing
density
q
BP 104 FS: suitable for vapor-phase and
IR-reflow soldering
Applications
q
IR remote control of hi-fi and TV sets,
video tape recorders, dimmers, remote
controls of various equipment
q
Photointerrupters
BP 104 F
BP 104 FS
Semiconductor Group
3
1997-11-19
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V,
E
e
= 1 mW/cm
2
S
34 (
25)
A
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
950
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
780 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
4.84
mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
B
L
W
2.20
2.20
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
0.5
0.3 (BP 104 FS)
mm
Halbwinkel
Half angle
60
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
I
R
2 (
30)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
S
0.70
A/W
Quantenausbeute
Quantum yield
0.90
Electrons
Photon
Leerlaufspannung,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
V
O
330 (
250)
mV
Kurzschlustrom,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
I
SC
17
A
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
;
V
R
= 5 V;
= 850 nm;
I
p
= 800
A
t
r
,
t
f
20
ns
Durchlaspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
V
F
1.3
V
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
0
48
pF
BP 104 F
BP 104 FS
Semiconductor Group
4
1997-11-19
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
TC
V
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
TC
I
0.18
%/K
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V
NEP
3.6
10
14
W
Hz
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V
Detection limit
D*
6.1
10
12
cm
Hz
W
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics (cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
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