BPY 12
BPY 12 H 1
Silizium-PIN-Fotodiode
Silicon-PIN-Photodiode
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
q
Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns)
Anwendungen
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
q
Short switching time (typ. 25 ns)
Applications
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
BPY 12
BPY 12 H 1
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feo06697
fso06016
BPY 12
BPY 12 H 1
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPY 12
Q62702-P9
BPY 12 H 1
Q62702-P1029
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
20
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
150
mW
Kennwerte (
T
A
= 25
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
C, standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity
S
180 (
100)
nA/Ix
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
920
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
400 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
20
mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
B
L
W
4.47
4.47
mm
Halbwinkel
Half angle
60
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 20 V
Dark current
I
R
10 (
100)
nA
BPY 12
BPY 12 H 1
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
= 850 nm
Spectral sensitivity
S
0.60
A/W
Quantenausbeute,
= 850 nm
Quantum yield
0.86
Electrons
Photon
Leerlaufspannung,
E
v
= 1000 Ix
Open-circuit voltage
V
O
365 (
310)
mV
Kurzschlustrom,
E
v
= 1000 Ix
Short-circuit current
I
SC
180
A
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
;
V
R
= 5 V;
= 850 nm;
I
p
= 800
A
t
r
,
t
f
25
ns
Durchlaspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
V
F
1.3
V
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
0
140
pF
Temperaturkoeffizient fr
V
O
Temperature coefficient of
V
O
TC
V
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient fr
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
TC
I
0.15
%/K
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 20 V,
= 850 nm
NEP
9.4
10
14
W
Hz
Nachweisgrenze,
V
R
= 20 V,
= 850 nm
Detection limit
D*
4.7
10
12
cm
Hz
W
Kennwerte (
T
A
= 25
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
C, standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BPY 12
BPY 12 H 1
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Dark current
I
R
=
f
(
V
R
),
E
= 0
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit-voltage
V
O
=
f
(
E
v
)
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(
T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
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