Semiconductor Group
1
1997-11-19
Silizium-PIN-Fotodiode mit erhhter Blauempfindlichkeit
Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPW 34 B
Q62702-P945
BPW 34 B
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 1100 nm
q
Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns)
q
DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
q
SMT-Variante auf Anfrage
Anwendungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb im sichtbaren
Lichtbereich
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
350 nm to 1100 nm
q
Short switching time (typ. 25 ns)
q
DIL plastic package with high packing
density
q
SMT version on request
Applications
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
GEO06643
4.0
3.7
4.3
4.5
5.4
4.9
0.6
0.4
0.6
0.4
1.2
0.7
0.3
0.5
0.8
0.6
Cathode marking
0.6
0.8
1.9
2.2
3.0
3.5
0.6
0.4
Chip position
0.4
0.6
0.35
0.2
0 ... 5
5.08 mm
spacing
Approx. weight 0.1 g
1.4
Photosensitive area
2.65 mm x 2.65 mm
1.8
feo06643
BPW 34 B
Semiconductor Group
2
1997-11-19
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 85
C
Lttemperatur (Ltstelle 2 mm vom
Gehuse entfernt bei Ltzeit
t
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
3 s)
T
S
230
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
32
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
150
mW
Kennwerte (
T
A
= 25
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
C, standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity
S
75
nA/Ix
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
350 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
7.45
mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
B
L
W
2.73
2.73
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
0.5
mm
Halbwinkel
Half angle
60
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
I
R
2 (
30)
nA
BPW 34 B
Semiconductor Group
3
1997-11-19
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
= 400 nm
Spectral sensitivity
S
0.2
A/W
Quantenausbeute,
= 400 nm
Quantum yield
0.62
Electrons
Photon
Leerlaufspannung,
E
v
= 1000 Ix
Open-circuit voltage
V
O
390
mV
Kurzschlustrom
Short-circuit current
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
= 400 nm
I
SC
7.4 (
5.4)
A
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
;
V
R
= 5 V;
= 850 nm;
I
p
= 800
A
t
r
,
t
f
25
ns
Durchlaspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
V
F
1.3
V
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
0
72
pF
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
TC
V
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
TC
I
0.18
%/K
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V,
= 400 nm
NEP
1.3
10
13
W
Hz
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V,
= 400 nm
Detection limit
D*
2.1
10
12
cm
Hz
W
Kennwerte (
T
A
= 25
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
C, standard light A,
T
= 2856 K) (cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BPW 34 B
Semiconductor Group
4
1997-11-19
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
OHF01402
90
80
70
60
50
40
30
20
10
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100
0
0
0
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Dark current
I
R
=
f
(
V
R
),
E
= 0
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(
E
v
)
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(
T
A
),
V
R
= 5 V,
E
= 0
OHF01001
0
rel
S
400
600
800
1000
1200
20
40
60
80
%
100
nm
0
OHF00080
R
R
V
0
5
10
15
V
20
1000
2000
3000
4000
pA
E
OHF01066
V
0
10
P
-1
10
10
1
10
2
10
4
10
0
10
1
10
2
10
3
4
10
3
10
2
10
1
10
10
0
V
A
mV
P
V
O
10
3
lx
V
OHF00081
R
-2
10
C
0
-1
10
0
10
1
10
2
10
V
10
20
30
40
50
60
70
80
pF
100
T
OHF00958
A
0
tot
P
0
20
40
60
80 C 100
mW
20
40
60
80
100
120
140
160
T
OHF00082
A
-1
10
0
R
10
0
10
1
10
2
10
3
nA
20
40
60
80 C 100
PDF 
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