Semiconductor Group
1
1997-11-01
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-LED, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlssigkeit
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Lange Anschlsse
q
Gruppiert lieferbar
q
Gehusegleich mit SFH 300, SFH 203
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgerten, Videorecordern,
Lichtdimmern
q
Gertefernsteuerungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
High pulse handling capability
q
long leads
q
Available in groups
q
Same package as SFH 300, SFH 203
Applications
q
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
q
Remote control of various equipment
q
Photointerrupters
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fex06628
7.8
7.5
9.0
8.2
29
27
1.8
1.2
4.8
4.2
5.1
4.8
0.8
0.4
0.6
0.4
2.54mm
spacing
5.9
5.5
0.6
0.4
Area not flat
Chip position
Cathode
Approx. weight 0.2 g
GEO06645
5.9
5.5
0.6
0.4
5.1
4.8
2.54 mm
spacing
7.8
7.5
9.0
8.2
4.8
4.2
11.4
11.0
14.0
13.0
1.8
1.2
1.3
1.0
Area not flat
0.6
0.4
Cathode
Chip position
GEX06239
Approx. weight 0.5 g
1.0
0.7
Semiconductor Group
2
1997-11-01
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
LD 271
Q62703-Q148
5-mm-LED-Gehuse (T 1
3
/
4
), graugetntes Epoxy-
Gieharz, Ltspiee im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
'')
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), grey colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
'')
LD 271 L
Q62703-Q833
LD271 H
Q62703-Q256
LD271 HL
Q62703-Q838
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlastrom
Forward current
I
F
130
mA
Stostrom,
t
p
= 10
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
3.5
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
220
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
330
K/W
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Semiconductor Group
3
1997-11-01
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
peak
950
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 mA
55
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
25
Grad
deg.
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.25
mm
2
Abmessungen der aktive Chipflche
Dimensions of the active chip area
L
B
L
W
0.5
0.5
mm
Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
H
4.0 ... 4.6
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
1
s
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Capacitance
C
o
40
pF
Durchlaspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
V
F
V
F
1.30
(
1.5)
1.90
(
2.5
)
V
V
Sperrstrom,
V
R
= 5 V
Reverse current
I
R
0.01
(
1
)
A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
e
18
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.55
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
TC
V
1.5
mV/K
Temperaturkoeffizient von
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
,
I
F
= 100 mA
TC
0.3
nm/K
Semiconductor Group
4
1997-11-01
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Gruppierung der Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
LD 271
LD 271 L
LD 271 H
LD 271 HL
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
I
e
I
e typ.
15 (
10)
120
> 16
mW/sr
mW/sr
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
OHRD1938
rel
0
880
920
960
1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
s
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
OHR01038
F
-1
10
10
0
1
10
2
10
10
-2
-1
10
0
10
A
10
1
e
e
(100 mA)
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
T
OHO00364
A
0
F
0
20
40
60
80
100
C
mA
20
40
60
80
100
120
140
160
200
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Semiconductor Group
5
1997-11-01
Forward current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
s
V
OHR01041
F
F
1
1
10
0
10
-1
10
10
-2
A
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5
max.
typ.
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
),
T
C
= 25
C,
duty cycle
D
= parameter
t
OHR00257
P
10
-5
s
T
t
p
D
=
t
p
T
F
10
4
F
DC
0.5
0.2
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
mA
10
3
10
2
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
2
10
=
D
5
5
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(
)
OHR01879
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
PDF 
ZIP