ChipFind - документация

Электронный компонент:

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Semiconductor Group
1
1997-11-01
Wesentliche Merkmale
q
Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlssigkeit
q
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfnger
q
SFH 484: Gehusegleich mit LD 274
q
SFH 485: Gehusegleich mit SFH 300,
SFH 203
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgerten, Videorecordern,
Lichtdimmern
q
Gertefernsteuerungen fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
q
Fabricated in a liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
Spectral match with silicon photodetectors
q
SFH 484: Same package as LD 274
q
SFH 485: Same package as SFH 300,
SFH 203
Applications
q
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
q
Remote control for steady and varying
intensity
GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitters (880 nm)
SFH 484
SFH 485
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.9
5.5
0.6
0.4
5.1
4.8
2.54 mm
spacing
7.8
7.5
9.0
8.2
4.8
4.2
29
27
1.5
0.8
0.5
Area not flat
0.6
0.4
Chip position
GEX06305
Approx. weight 0.5 g
Cathode
5.9
5.5
0.6
0.4
5.1
4.8
2.54 mm
spacing
7.8
7.5
9.0
8.2
5.7
5.1
29
27
1.8
1.2
0.8
0.5
Area not flat
0.6
0.4
Chip position
GEX06271
Approx. weight 0.5 g
Cathode
fex06305
fex06271
Semiconductor Group
2
1997-11-01
SFH 484
SFH 485
Grenzwerte (
T
A
= 25
C)
Maximum Ratings
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
SFH 484
Q62703-Q1092
5-mm-LED-Gehuse (T 1
3
/
4
), klares violettes Epoxy-
Gieharz, Anschlsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
''),
Anodenkennzeichung: krzerer Anschlu
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), violet-colored epoxy res-
in, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
''), anode
marking: short lead
SFH 484-1
Q62703-Q1755
SFH 484-2
Q62703-Q1756
SFH 485
Q62703-Q1093
SFH 485-2
Q62703-Q1547
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlastrom
Forward current
I
F
100
mA
Stostrom,
t
p
= 10
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
2.5
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
200
mW
Wrmewiderstand, freie Beinchenlnge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm
R
thJA
375
K/W
SFH 484
SFH 485
Semiconductor Group
3
1997-11-01
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
peak
880
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
rel
Spectral bandwidth at 50 % of
I
rel
I
F
= 100 m A
80
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 484
SFH 485
8
20
Grad
deg.
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.16
mm
2
Abmessungen der aktive Chipflche
Dimension of the active chip area
L
B
L
W
0.4
0.4
mm
Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 484
SFH 485
H
H
5.1 ... 5.7
4.2 ... 4.8
mm
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
0.6/0.5
s
Kapazitt
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
o
25
pF
Durchlaspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
V
F
V
F
1.50
(
1.8)
3.00
(
3.8)
V
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
I
R
0.01
(
1
)
A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
e
25
mW
Semiconductor Group
4
1997-11-01
SFH 484
SFH 485
Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.001 sr bei SFH 484 bzw.
= 0.01 sr bei SFH 485
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.001 sr at SFH 484 or
= 0.01 sr at SFH 485
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.5
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
TC
V
2
mV/K
Temperaturkoeffizient von
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
,
I
F
= 100 mA
TC
0.25
nm/K
Bezeichnung
Description
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH
484
SFH
484-1
SFH
484-2
SFH
485
SFH
485-2
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e min
I
e max
50
160
50
100
> 80
16
80
> 25
mW/sr
mW/sr
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
I
e typ.
800
700
900
300
340
mW/sr
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Radiation characteristics, SFH 484
I
rel
=
f
(
)
OHR01891
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
SFH 484
SFH 485
Semiconductor Group
5
1997-11-01
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
s
0
750
rel
OHR00877
800
850
900
950 nm 1000
20
40
60
80
%
100
10
OHR00881
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
1
2
3
4
5
6
V
8
A
F
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
s
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
),
T
A
= 25
C,
duty cycle
D
= parameter
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
10
OHR00878
e
F
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
10
1
10
2
10
4
mA
e
(100mA)
3
10
10
F
OHR00886
1
2
10
3
10
4
10
mA
-5
10
s
=
D
F
T
DC
0.005
=
D
p
t
T
t
p
p
t
0.5
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Forward current versus lead length
between the package bottom and the
PC-board
I
F
=
f
(
I
),
T
A
= 25
C
T
OHR00880
0
F
0
20
40
60
80
100
C
mA
25
50
75
100
125
OHR00949
F
0
0
5
10
15
20
25 mm 30
20
40
60
80
100
mA
120
Radiation characteristics, SFH 485
I
rel
=
f
(
)
OHR01892
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0