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Электронный компонент: Q62703-Q1773

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Semiconductor Group
1
11.96
LC ARGUS
LED
Low current 3 mm (T1) LED, Non Diffused
LS K389, LY K389, LG K389
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit
V max
/
V min
2.0.
Luminous flux ratio in one packaging unit
V max
/
V min
2.0.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehusefarbe
Color of
Package
Lichtstrom
Luminous Flux
I
F
= 2 mA
V
(mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
LS K389-FO
super-red
red clear
1 (5.0 typ.)
Q62703-Q1771
LY K389-FO
yellow
yellow clear
1 (3.2 typ.)
Q62703-Q1772
LG K389-FO
green
green clear
1 (3.2 typ.)
Q62703-Q1773
VEX06712
Besondere Merkmale
q
eingefrbtes, klares Gehuse
q
Kunststoffgehuse mit spezieller Formgebung
q
hohe Lichtstrke bei kleinen Strmen (typ. 2 mA)
q
bei Einsatz eines ueren Reflectors zur Hintergrundbe-
leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet.
q
zur Direkteinkopplung in Lichtleiterflchen geeignet
q
gleichmige Ausleuchtung einer Streuscheibe
(Weidruck) vor dem ueren Reflektor
q
Ltspiee mit Aufsetzebene
q
gegurtet lieferbar
q
Strimpulsfest nach DIN 40839
q
Hinweis: Bei farbigen Streuscheiben mu die spektrale
Transmission an die, von der LED emittierte Wellenlnge
angepat werden.
Features
q
colored, clear package
q
plasic package with a special design
q
high light intensity at low currents (typ. 2 mA)
q
in connection with an additional, custom built reflector suitable for backlighting of display panels
q
for optical coupling into light pipes
q
uniform illumination of a diffuser screen in front of the custom built reflector
q
solder leads with stand-off
q
available taped on reel
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
q
Note: If the diffuser screen is tinted, the spectral transmission must be adjusted to the
wavelength emitted by the LED.
LS K389, LY K389, LG K389
Semiconductor Group
2
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
7.5
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s, D = 0.005
I
FM
150
mA
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
25 C
P
tot
20
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
R
th JA
500
K/W
LS K389, LY K389, LG K389
Semiconductor Group
3
Kennwerte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LY
LG
Wellenlnge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission
(typ.)
I
F
= 7.5 mA
peak
635
586
565
nm
Dominantwellenlnge
(typ.)
Dominant wavelength
(typ.)
I
F
= 7.5 mA
dom
628
590
570
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
rel max
(typ.)
I
F
= 7.5 mA
45
45
25
nm
Durchlaspannung
(typ.)
Forward voltage
(max.)
I
F
= 2 mA
V
F
V
F
1.8
2.6
2.0
2.7
1.9
2.6
V
V
Sperrstrom
(typ.)
Reverse current
(max.)
V
R
= 5 V
I
R
I
R
0.01
10
0.01
10
0.01
10
A
A
Kapazitt
(typ.)
Capacitance
V
R
= 0 V,
= 1 MHz
C
0
3
3
15
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
(typ.)
I
V
from 90 % to 10 %
(typ.)
I
F
= 100 mA,
t
P
= 10
s,
R
L
= 50
t
r
t
f
200
150
200
150
450
200
ns
ns
LS K389, LY K389, LG K389
Semiconductor Group
4
Relative spektrale Emission
rel
=
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 7.5 mA
Relative spectral emission
V (
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
LS K389, LY K389, LG K389
Semiconductor Group
5
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 C
Relativer Lichtstrom
V
/
V (2 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous flux
T
A
= 25 C
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
LS K389, LY K389, LG K389
Semiconductor Group
6
Wellenlnge der Strahlung
peak
=
f
(
T
A
)
Wavelength at peak emission
I
F
= 7.5 mA
Durchlaspannung
V
F
=
f
(
T
A
)
Forward voltage
I
F
= 2 mA
Dominantwellenlnge
dom
=
f
(
T
A
)
Dominant wavelength
I
F
= 7.5 mA
Relativer Lichtstrom
V
/
V(25
C)
=
(
T
A
)
Relative luminous flux
I
F
= 2 mA
LS K389, LY K389, LG K389
Semiconductor Group
7
Mazeichnung
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung:
Krzerer Ltspie
Cathode mark:
Short solder lead
GEX06712