Semiconductor Group
1
1997-11-01
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Wesentliche Merkmale
q
Sehr enger Abstrahlwinkel
q
GaAs-IR-LED, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlssigkeit
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Gruppiert lieferbar
q
Gehusegleich mit SFH 484
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgerten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerten
Features
q
Extremely narrow half angle
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
High pulse handling capability
q
Available in groups
q
Same package as SFH 484
Applications
q
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers,
of various equipment
LD 274
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.9
5.5
0.6
0.4
5.1
4.8
2.54 mm
spacing
7.8
7.5
9.0
8.2
5.7
5.1
29
27
1.8
1.2
0.8
0.4
Area not flat
0.6
0.4
Cathode (Diode)
Chip position
GEX06260
Approx. weight 0.5 g
Collector (Transistor)
fex06260
1)
Nur auf Anfrage lieferbar.
1)
Available only on request.
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
LD 274
Q62703-Q1031
5-mm-LED-Gehuse (T 1
3
/
4
), graugetntes Epoxy-
Gieharz, Anschlsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
''),
Kathodenkennzeichnung: Krzerer Ltspie, flat
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), grey colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
''), cathode
marking: shorter solder lead, flat
LD 274-2
1)
Q62703-Q1819
LD 274-3
Q62703-Q1820
LD 274
Semiconductor Group
2
1997-11-01
Grenzwerte (
T
A
= 25
C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlastrom
Forward current
I
F
100
mA
Stostrom,
t
p
= 10
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
3
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
165
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
450
K/W
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
peak
950
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 m A,
t
p
= 20 ms
55
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
10
Grad
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.09
mm
2
Abmessungen der aktive Chipflche
Dimension of the active chip area
L
B
L
W
0.3
0.3
mm
Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
H
4.9 ... 5.5
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
1
s
Semiconductor Group
3
1997-11-01
LD 274
Gruppierung der Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.001 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.001 sr
1)
Nur auf Anfrage lieferbar.
1)
Available only on request.
Kapazitt
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
o
25
pF
Durchlaspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
V
F
V
F
1.30
(
1.5)
1.90
(
2.5
)
V
V
Sperrstrom,
V
R
= 5 V
Reverse current
I
R
0.01
(
1
)
A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
e
15
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.55
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
TC
V
1.5
mV/K
Temperaturkoeffizient von
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
,
I
F
= 100 mA
TC
+ 0.3
nm/K
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
LD 274
LD 274-2
1)
LD 274-3
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e min
I
e max
50
50
100
80
mW/sr
mW/sr
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
I
e typ.
350
600
800
mW/sr
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
LD 274
Semiconductor Group
4
1997-11-01
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
s
OHR01938
rel
0
880
920
960
1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
V
OHR01041
F
F
1
1
10
0
10
-1
10
10
-2
A
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5
max.
typ.
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
s
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
OHR01038
F
-1
10
10
0
1
10
2
10
10
-2
-1
10
0
10
A
10
1
e
e
(100 mA)
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
OHR00883
0
F
0
20
40
60
80
100
120
20
40
60
80
100
120
mA
C
T
A
= 450 K/W
thjA
R
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
),
T
C
25
C,
duty cycle
D
= parameter
t
OHR00860
p
-5
10
10
2
F
10
3
10
4
5
DC
0.2
0.5
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
t
p
T
F
t
p
T
D
=
5
mA
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
s
D
=
Radiation characteristics,
I
rel
=
f
(
)
OHR01882
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
PDF 
ZIP