ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62703-Q2297

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Semiconductor Group
1
11.96
3 mm (T1) MULTILED
, Diffused
LSG 3351
Streuung der Lichtstrke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
Streuung der Lichtstrke in einer LED
I
V max
/
I
V min
3.0.
1)
Bei MULTILED
bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehuse die Helligkeitsgruppe
der LED.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
Luminous intensity ratio in one LED
I
V max
/
I
V min
3.0.
1)
In case of MULTILED
, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of
the LED.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehusefarbe
Color of
Package
Lichtstrke
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LSG 3351-HO
super-red / green
colorless diffused
2.5 (10 typ.)
Q62703-Q2297
VEX06729
Besondere Merkmale
q
nicht eingefrbtes, diffuses Gehuse
q
antiparallel geschaltete Leuchtdiodenchips
q
hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED mglich
q
bei geeigneter Ansteuerung mit IC (z.B. SDA 2231),
Farbwechsel von grn ber gelb und orange bis super-rot
mglich
q
beide Farben getrennt ansteuerbar
q
gegurtet lieferbar
q
Strimpulsfest nach DIN 40839
Features
q
colorless, diffused package
q
antiparallel chips
q
high signal effiency possible by color change of the LED
q
with appropriate controlling by IC (e.g. SDA 2231) it is
possible to change color from green to yellow, orange and
super-red
q
both colors can be controlled separately
q
available taped on reel
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
2
LSG 3351
Grenzwerte
1)
Maximum Ratings
1)
1)
Die angegebenen Grenzdaten gelten fr den Chip, fr den sie angegeben sind, unabhngig vom
Betriebzustand des anderen.
1)
The stated maximum ratings refer to the specified chip regardless of the other one's operating status.
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
40
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s, D = 0.005
I
FM
0.5
A
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
25 C
P
tot
140
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
R
th JA
400
K/W
Semiconductor Group
3
LSG 3351
Kennwerte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
super-red
green
Wellenlnge des emittierten Lichtes
(typ.)
Wavelength at peak emission
(typ.)
I
F
= 20 mA
peak
635
565
nm
Dominantwellenlnge
(typ.)
Dominant wavelength
(typ.)
I
F
= 20 mA
dom
628
570
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
45
25
nm
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
2
50
50
Grad
deg.
Durchlaspannung
(typ.)
Forward voltage
(max.)
I
F
= 10 mA
V
F
V
F
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Kapazitt
(typ.)
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
0
27
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
(typ.)
I
V
from 90 % to 10 %
(typ.)
I
F
= 100 mA,
t
P
= 10
s,
R
L
= 50
t
r
t
f
300
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group
4
LSG 3351
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LSG 3351
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 C
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 C
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Semiconductor Group
6
LSG 3351
Wellenlnge der Strahlung
peak
=
f
(
T
A
)
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Durchlaspannung
V
F
=
f
(
T
A
)
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Dominantwellenlnge
dom
=
f
(
T
A
)
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(25
C)
=
f
(
T
A
)
Relative luminous intensity
I
F
= 10 mA
Semiconductor Group
7
LSG 3351
Mazeichnung
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung:
grn:
lngerer Ltspie
rot:
krzerer Ltspie
Cathode mark:
green:
long solder lead
red:
short solder lead
GEX06729