Semiconductor Group
1
11.96
Super Multi ARGUS
LED
High-Current, 3 mm (T1) LED, Non Diffused
LSG K372, LSP K372
Besondere Merkmale
q
farbloses, klares Gehuse
q
Kunststoffgehuse mit spezieller Formgebung
q
antiparallel geschaltete Leuchtdiodenchips
q
besonders geeignet bei hohem Umfeldlicht durch erhhten
Betriebsstrom (typ. 50 mA)
q
hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED mglich
q
bei Einsatz eines ueren Reflektors zur Hintergrundbe-
leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet
q
zur Direkteinkopplung in Lichtleiter geeignet
q
gleichmige Ausleuchtung einer Streuscheibe (Wei-
druck) vor dem ueren Reflektor
q
Ltspiee mit Aufsetzebene
q
gegurtet lieferbar
q
Strimpulsfest nach DIN 40839
Features
q
colorless, clear package
q
plastic package with a special design
q
antiparallel chip
q
appropriate for high ambient light because of the higher operating current (typ. 50 mA)
q
high signal efficiency possible by color change of the LED
q
in connection with an additional, custom built reflector suitable for backlighting of display panels
q
for optical coupling into light pipes
q
uniform illumination of a diffuser screen in front of the custom built reflector
q
solder leads with stand-off
q
available taped on reel
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
VEX06712
Semiconductor Group
2
LSG K372, LSP K372
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit
V max
/
V min
2.0.
1)
Streuung des Lichtstromes in einer LED
V max
/
V min
3.0 (L*G K372),
4.0 (L*P K372).
1)
Bei MULTILED
bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehuse die Helligkeitsgruppe
der LED.
Luminous flux ratio in one packaging unit
V max
/
V min
2.0.
1)
Luminous flux ratio in one LED
V max
/
V min
3.0 (L*G K372),
4.0 (L*P K372).
1)
In case of MULTILED
, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of
the LED.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehusefarbe
Color of
Package
Lichtstrom
Luminous Flux
I
F
= 50 mA
V
(mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
LSG K372-QO
super-red / green
colorless clear
100 (160 typ.)
Q62703-Q2647
LSP K372-PO
super-red /
pure green
colorless clear
40 (100 typ.)
Q62703-Q2380
Semiconductor Group
3
Grenzwerte
1)
Maximum Ratings
1)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
75
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s,
D
= 0.005
I
FM
1
A
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
25
C
P
tot
240
mW
Wrmewiderstand
Termal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
R
th JA
2)
250
K/W
1)
Die angegebenen Grenzwerte gelten fr den Chip, fr den sie angegeben sind, unabhngig vom
Betriebszustand des anderen.
2)
Montiert auf Platine mit min. Anschlulnge (bis Aufsatzebene, Ltflche
16 mm
2
).
1)
The stated maximum ratings refer to the specified chip regardless of the other one's status.
2)
Mounted on PC board with min. lead length (up to stand-off, pad size
16 mm
2
).
LSG K372, LSP K372
Semiconductor Group
4
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
S
G
P
Wellenlnge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
F
= 20 mA
peak
635
565
557
nm
Dominantwellenlnge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
F
= 20 mA
dom
628
570
560
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
45
25
22
nm
Durchlaspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
F
= 50 mA
V
F
V
F
2.0
3.8
2.6
3.8
2.6
3.8
V
V
Kapazitt
1)
(typ.)
Capacitance
1)
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
0
55
55
80
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 % (typ.)
I
V
from 90 % to 10 % (typ.)
I
F
= 100 mA,
t
p
= 10
s,
R
L
= 50
t
r
t
f
300
150
450
200
450
200
ns
ns
1)
Die Gesamtkapazitt ergibt sich aus der Summe der Einzelkapazitten.
1)
The total capacitance results from the sum of the single capacitances.
LSG K372, LSP K372
Semiconductor Group
5
LSG K372, LSP K372
Relative spektrale Emission
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
) =
spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
6
LSG K372, LSP K372
Durchlastrom, Pulsbetrieb
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current, pulsed
T
A
= 25 C
Maximal zulssiger Durchlastrom
I
F
=
f
(
T
A
)
Max. permissible forward current
Relativer Lichtstrom
V
/
V(50 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous flux
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 C
Semiconductor Group
7
LSG K372, LSP K372
Wellenlnge der Stahlung
peak
=
f (T
A
)
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Durchlaspannung
V
F
=
f
(
T
A
)
Forward voltage
I
F
= 50 mA
Dominantwellenlnge
dom
=
f
(
T
A
)
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Relativer Lichtstrom
V
/
V(25 C)
=
f
(
T
A
)
Relative luminous flux
I
F
= 50 mA
Semiconductor Group
8
LSG K372, LSP K372
Mazeichnung
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung:
rot:
krzerer Ltspie
grn:
lngerer Ltspie
Cathode mark:
red:
shorter solder lead
green:
longer solder lead
GEX06805
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