ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62703-Q2874

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Semiconductor Group
1
11.96
Super Multi TOPLED
High-Current LED
LOY T672, LSG T672, LSP T672
LOP T672, LOG T672, LYP T672
Besondere Merkmale
q
Gehusebauform: P-LCC-4
q
Gehusefarbe: wei
q
als optischer Indikator einsetzbar
q
besonders geeignet bei hohem Umgebungslicht
durch erhhten Betriebsstrom (
50 mA DC)
q
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
q
beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar
q
hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED mglich
q
bei geeigneter Ansteuerung sind Farbwechsel mglich
q
fr alle SMT-Bestck- und Lttechniken geeignet
q
gegurtet (8-mm-Filmgurt)
q
Strimpulsfest nach DIN 4083
Features
q
P-LCC-4 package
q
color of package: white
q
for use as optical indicator
q
appropriate for high ambient light because of the higher operation current (
50 mA DC)
q
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
q
both chips can be controlled separately
q
high signal efficiency possible by color change of the LED
q
with appropriate controlling color changes possible
q
suitable for all SMT assembly and soldering methods
q
available taped on reel (8 mm tape)
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
VPL06837
Semiconductor Group
2
LOY T672, LSG T672, LSP T672
LOP T672, LOG T672, LYP T672
s
Not for new design / Nicht fr Neuentwicklungen
Streuung der Lichtstrke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
Streuung der Lichtstrke in einer LED
I
V max
/
I
V min
3.0 (LOY T672, LSG T672, LOG T672),
4.0
(LSP T672, LOP T672, LYP T672).
1)
Bei MULTILED
bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehuse die Helligkeitsgruppe
der LED.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
Luminous intensity ratio in one LED
I
V max
/
I
V min
3.0 (LOY T672, LSG T672, LOG T672),
4.0
(LSP T672, LOP T672, LYP T672).
1)
In case of MULTILED
, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of
the LED.
Typ
Type
Emissions-
farbe
Color of
Emission
Farbe der
Lichtaustritts-
flche
Color of the
Light Emitting
Area
Lichtstrke
Luminous
Intensity
I
F
= 50 mA
I
V
(mcd)
Lichtstrom
Luminous
Flux
I
F
= 50 mA
V
(mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
LSG T672-MO
super-red /
green
colorless clear
16 (30 typ.) 90 (typ.)
Q62703-Q2533
LSP T672-KN
LSP T672-L
LSP T672-M
LSP T672-N
LSP T672-LP
super-red /
pure green
colorless clear
6.3 ... 50.0
10.0 ... 20.0
16.0 ... 32.0
25.0 ... 50.0
10.0 ... 80.0
-
45 (typ.)
75 (typ.)
100 (typ.)
-
Q62703-Q3907
Q62703-Q2778
Q62703-Q2779
Q62703-Q2780
Q62703-Q2534
LOY T672-MO
orange /
yellow
colorless clear
16 (50 typ.) 150 (typ.)
Q62703-Q2535
LOG T672-MO orange /
green
colorless clear
16 (50 typ.) 150 (typ.)
Q62703-Q2873
LOP T672-KN
LOP T672-L
LOP T672-M
LOP T672-N
LOP T672-LP
orange /
pure green
colorless clear
6.3 ... 50.0
10.0 ... 20.0
16.0 ... 32.0
25.0 ... 50.0
10.0 ... 80.0
-
45 (typ.)
75 (typ.)
100 (typ.)
-
Q62703-Q2872
Q62703-Q2876
Q62703-Q2877
Q62703-Q2878
Q62703-Q3099
LYP T672-LO
yellow /
pure green
colorless clear
10 (20 typ.) 60 (typ.)
Q62703-Q2874
s
Semiconductor Group
3
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
50
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s,
D
= 0.005
I
FM
1
A
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
140
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-Board*
)
(Padgre je
16 mm
2
)
mounted on PC board*
)
(pad size
16 mm
2
each)
R
th JA
1)
R
th JA
2)
380
530
K/W
K/W
*
)
PC-board: FR4
1)
nur ein Chip betrieben
1)
one system only
2)
beide Chips betrieben
2)
both systems on simultaneously
Notes
Die angegebenen Grenzdaten gelten fr einen Chip.
The stated maximum ratings refer to one chip.
LOY T672, LSG T672, LSP T672
LOP T672, LOG T672, LYP T672
Semiconductor Group
4
Kennworte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LO
LY
LG
LP
Wellenlnge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
F
= 10 mA
peak
635
610
586
565
557
nm
Dominantwellenlnge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
F
= 10 mA
dom
628
605
590
570
560
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
(typ.)
I
F
= 10 mA
45
40
45
25
22
nm
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
2
120
120
120
120
120
Grad
deg.
Durchlaspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
F
= 50 mA
V
F
V
F
2.0
3.8
2.1
3.8
2.2
3.8
2.6
3.8
2.6
3.8*
)
V
V
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
R
= 5 V
I
R
I
R
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
A
A
Kapazitt (typ.)
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
0
40
35
35
60
80
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 % (typ.)
I
V
from 90 % to 10 % (typ.)
I
F
= 100 mA,
t
p
= 10
s,
R
L
= 50
t
r
t
f
350
200
500
250
350
200
500
250
500
250
ns
ns
*
)
V
F
max = 3.2 V as of Febr. 97
LOY T672, LSG T672, LSP T672
LOP T672, LOG T672, LYP T672
Semiconductor Group
5
LOY T672, LSG T672, LSP T672
LOP T672, LOG T672, LYP T672
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 10 mA
Relative spectral emission
V (
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
6
LOY T672, LSG T672, LSP T672
LOP T672, LOG T672, LYP T672
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
p
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle
D
= parameter,
T
A
= 25 C
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(50 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 C
Maximal zulssiger Durchlastrom
I
F
=
f
(
T
A
)
Max. permissible forward current
Semiconductor Group
7
LOY T672, LSG T672, LSP T672
LOP T672, LOG T672, LYP T672
Wellenlnge der Stahlung
peak
=
f (T
A
)
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
Durchlaspannung
V
F
=
f
(
T
A
)
Forward voltage
I
F
= 50 mA
Dominantwellenlnge
dom
=
f
(
T
A
)
Dominat wavelength
I
F
= 10 mA
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(25 C)
=
f
(
T
A
)
Relative luminous intensity
I
F
= 50 mA
Semiconductor Group
8
Mazeichnung
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
GPL06837
L
O
Y
T672
LED
Emission color 1 Emission color 2 Package
cathode: pin 1
cathode: pin 3
LOY T672, LSG T672, LSP T672
LOP T672, LOG T672, LYP T672