ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62703-Q2885

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Semiconductor Group
1
11.96
Features
q
P-LCC-4 package
q
color of package: white
q
for use as optical indicator
q
appropriate for high ambient light because of the higher operation current (
50 mA DC)
q
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
q
both chips can be controlled separately
q
suitable for all SMT assembly and soldering methods
q
available taped on reel (8 mm tape)
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
Super Multi TOPLED
High-Current LED
LSS T672, LOO T672, LYY T672
LGG T672, LPP T672
Besondere Merkmale
q
Gehusebauform: P-LCC-4
q
Gehusefarbe: wei
q
als optischer Indikator einsetzbar
q
besonders geeignet bei hohem Umgebungslicht durch
erhhten Betriebsstrom (
50 mA DC)
q
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
q
beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar
q
fr alle SMT-Bestck- und Lttechniken geeignet
q
gegurtet (8-mm-Filmgurt)
q
Strimpulsfest nach DIN 4083
VPL06837
Semiconductor Group
2
LSS T672, LOO T672, LYY T672
LGG T672, LPP T672
s
Not for new design / Nicht fr Neuentwicklungen
Streuung der Lichtstrke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
Streuung der Lichtstrke in einer LED
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
Bei MULTILED
mit 2 gleichfarbigen Chips in einem Gehuse wird die Helligkeitsgruppe aus dem Mittelwert
der Lichtstrken ermittelt.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
Luminous intensity ratio in one LED
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
In case of MULTILED
with two chips of the same color in one package, the mean of the brightness determines
the brightness group of the LED.
Typ
Type
Emissions-
farbe
Color of
Emission
Farbe der
Lichtaustritts-
flche
Color of the
Light Emitting
Area
Lichtstrke
Luminous
Intensity
I
F
= 50 mA
I
V
(mcd)
Lichtstrom
Luminous
Flux
I
F
= 50 mA
V
(mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
LSS T672-NO
super-red /
super-red
colorless clear
25
(100 typ.)
300 (typ.)
Q62703-Q2881
LOO T672-MO orange /
orange
colorless clear
16
(100 typ.)
300 (typ.)
Q62703-Q2536
LYY T672-NO
yellow /
yellow
colorless clear
25
(100 typ.)
300 (typ.)
Q62703-Q2883
LGG T672-NO
green /
green
colorless clear
25
(100 typ.)
300 (typ.)
Q62703-Q2884
LPP T672-MO
pure green /
pure green
colorless clear
16
(50 typ.)
150 (typ.)
Q62703-Q2885
s
s
s
Semiconductor Group
3
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
50
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s,
D
= 0.005
I
FM
1
A
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
160
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-Board*
)
(Padgre
16 mm
2
)
mounted on PC board*
)
(pad size
16 mm
2
)
R
th JA
1)
R
th JA
2)
380
530
K/W
K/W
*
)
PC-board: FR4
1)
nur ein Chip betrieben
1)
one system on
2)
beide Chips betrieben
2)
both systems on simultaneously
Notes
Die angegebenen Grenzdaten gelten fr einen Chip.
The stated maximum ratings refer to one chip.
LSS T672, LOO T672, LYY T672
LGG T672, LPP T672
Semiconductor Group
4
Kennwerte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LO
LY
LG
LP
Wellenlnge des emittierten Lichtes
(typ.)
Wavelength at peak emission
(typ.)
I
F
= 10 mA
peak
635
610
586
565
557
nm
Dominantwellenlnge
(typ.)
Dominant wavelength
(typ.)
I
F
= 10 mA
dom
628
605
590
570
560
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
(typ.)
I
F
= 10 mA
45
40
45
25
22
nm
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
v
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
v
2
120
120
120
120
120
deg.
Durchlaspannung
(typ.)
Forward voltage
(max.)
I
F
= 50 mA
V
F
V
F
2.0
3.8
2.1
3.8
2.2
3.8
2.6
3.8
2.6
3.8
V
V
Sperrstrom
(typ.)
Reverse current
(max.)
V
R
= 5 V
I
R
I
R
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
A
A
Kapazitt
(typ.)
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
0
40
35
35
60
80
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
(typ.)
I
V
from 90 % to 10 %
(typ.)
I
F
= 100 mA,
t
p
= 10
s,
R
L
= 50
t
r
t
f
350
200
500
250
350
200
500
250
500
250
ns
ns
LSS T672, LOO T672, LYY T672
LGG T672, LPP T672
Semiconductor Group
5
LSS T672, LOO T672, LYY T672
LGG T672, LPP T672
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 10 mA
Relative spectral emission
V (
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
6
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
p
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle
D
= parameter,
T
A
= 25 C
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(50 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 C
Maximal zulssiger Durchlastrom
I
F
=
f
(
T
A
)
Max. permissible forward current
LSS T672, LOO T672, LYY T672
LGG T672, LPP T672
Semiconductor Group
7
LSS T672, LOO T672, LYY T672
LGG T672, LPP T672
Wellenlnge der Stahlung
peak
=
f (T
A
)
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
Durchlaspannung
V
F
=
f
(
T
A
)
Forward voltage
I
F
= 50 mA
Dominantwellenlnge
dom
=
f
(
T
A
)
Dominat wavelength
I
F
= 10 mA
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(25 C)
=
f
(
T
A
)
Relative luminous intensity
I
F
= 50 mA
Semiconductor Group
8
LSS T672, LOO T672, LYY T672
LGG T672, LPP T672
Mazeichnung
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
GPL06837