ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62703-Q2903

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Semiconductor Group
1
11.96
Multi TOPLED
VPL06837
Besondere Merkmale
q
Gehusebauform: P-LCC-4
q
Gehusefarbe: wei
q
als optischer Indikator einsetzbar
q
beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar
q
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
q
fr alle SMT-Bestck- und Lttechniken geeignet
q
gegurtet (8-mm-Filmgurt)
q
Strimpulsfest nach DIN 40839
Features
q
P-LCC-4 package
q
color of package: white
q
for use as optical indicator
q
both chips can be controlled separately
q
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
q
suitable for all SMT assembly and soldering methods
q
available taped on reel (8 mm tape)
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Semiconductor Group
2
s
Not for new design / Nicht fr Neuentwicklungen
Streuung der Lichtstrke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
Streuung der Lichtstrke in einer LED
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
Bei MULTILED
mit 2 gleichfarbigen Chips in einem Gehuse wird die Helligkeitsgruppe aus dem Mittelwert
der Lichtstrken ermittelt.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
Luminous intensity ratio in one LED
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
In case of MULTILED
with two chips of the same color in one package, the mean of the brightness determines
the brightness group of the LED.
Typ
Type
Emissions-
farbe
Color of
Emission
Farbe der
Lichtaustritts-
flche
Color of the
Light Emitting
Area
Lichtstrke
1)
Luminous
Intensity
1)
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
Lichtstrom
Luminous
Flux
I
F
= 10 mA
V
(mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
LSS T670-JO
super-red/
super-red
colorless clear
4.0 (8 typ.)
24 (typ.)
Q62703-Q2902
LOO T670-JO
orange/
orange
colorless clear
4.0 (8 typ.)
24 (typ.)
Q62703-Q2903
LYY T670-JO
yellow/
yellow
colorless clear
4.0 (8 typ.)
24 (typ.)
Q62703-Q2904
LGG T670-JO
green/
green
colorless clear
4.0 (10 typ.)
30 (typ.)
Q62703-Q2905
LPP T670-HO
pure green/
pure green
colorless clear
2.5 (5 typ.)
15 (typ.)
Q62703-Q2906
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
s
s
s
Semiconductor Group
3
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
30
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s,
D
= 0.005
I
FM
0.5
A
Sperrspanung
Reverse voltage
V
R
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
100
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board
*
)
(Padgre
16 mm
2
)
mounted on PC board
*
)
(pad size
16 mm
2
)
R
th JA
1)
R
th JA
2)
480
650
K/W
K/W
*
)
PC-board: FR4
1)
nur ein Chip betrieben
1)
one system on
2)
beide Chips betrieben
2)
both systems on simultaneously
Notes
Die angegebenen Grenzdaten gelten fr einen Chip.
The stated maximum ratings refer to one chip.
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670 LPP T670
Semiconductor Group
4
Kennwerte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LO
LY
LG
LP
Wellenlnge des emittierten
Lichtes
(typ.)
Wavelength at peak emission
(typ.)
I
F
= 10 mA
peak
635
610
586
565
557
nm
Dominantwellenlnge
(typ.)
Dominant wavelength
(typ.)
I
F
= 10 mA
dom
628
605
590
570
560
nm
Spektrale Bandbreite
bei 50 %
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
(typ.)
I
F
= 10 mA
45
40
45
25
22
nm
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
v
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
v
2
120
120
120
120
120
deg.
Durchlaspannung
(typ.)
Forward voltage
(max.)
I
F
= 10 mA
V
F
V
F
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
(typ.)
Reverse current
(max.)
V
R
= 5 V
I
R
I
R
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
A
A
Kapazitt
(typ.)
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
0
12
8
10
15
15
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
(typ.)
I
V
from 90 % to 10 %
(typ.)
I
F
= 100 mA,
t
p
= 10
s,
R
L
= 50
t
r
t
f
300
150
300
150
300
150
450
200
450
200
ns
ns
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Semiconductor Group
5
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 10 mA
Relative spectral emission
V(
) =
spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Semiconductor Group
6
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
p
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle
D
= parameter,
T
A
= 25 C
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Semiconductor Group
7
Wellenlnge der Stahlung
peak
=
f (T
A
)
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
Durchlaspannung
V
F
=
f
(
T
A
)
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Dominantwellenlnge
dom
=
f
(
T
A
)
Dominant wavelength
I
F
= 10 mA
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(25 C)
=
f
(
T
A
)
Relative luminous intensity
I
F
= 10 mA
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Semiconductor Group
8
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Mazeichnung
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
GPL06837