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Электронный компонент: Q62703-Q3202

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Semiconductor Group
1
11.96
3 mm (T1) LED, Diffused
Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED
LH 3364
Streuung der Lichtstrke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
2.0.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehusefarbe
Color of
Package
Lichtstrke
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LH 3364-LP
LH 3364-M
LH 3364-N
LH 3364-MQ
hyper-red
red diffused
10 ... 80
16 ... 32
25 ... 50
16 ... 125
Q62703-Q3202
Q62703-Q3203
Q62703-Q2798
Q62703-Q3201
VEX06711
Besondere Merkmale
q
eingefrbtes, diffuses Gehuse
q
Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie
q
besonders hohe Lichtstrke
q
Ltspiee mit Aufsetzebene
q
gegurtet lieferbar
q
Strimpulsfest nach DIN 40839
Features
q
colored, diffused package
q
double heterojunction in GaAIAs technology
q
especially high luminous intensity
q
solder leads with stand-off
q
available taped on reel
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
2
LH 3364
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
40
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s, D = 0.005
I
FM
0.5
A
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
3
V
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
25 C
P
tot
120
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
R
th JA
400
K/W
Semiconductor Group
3
LH 3364
Kennwerte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Wellenlnge des emittierten Lichtes
(typ.)
Wavelength at peak emission
(typ.)
I
F
= 20 mA
peak
660
nm
Dominantwellenlnge
(typ.)
Dominant wavelength
(typ.)
I
F
= 20 mA
dom
645
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
22
nm
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
2
45
Grad
deg.
Durchlaspannung
(typ.)
Forward voltage
(max.)
I
F
= 10 mA
V
F
V
F
1.75
2.6
V
V
Sperrstrom
(typ.)
Reverse current
(max.)
V
R
= 3 V
I
R
I
R
0.01
10
A
A
Kapazitt
(typ.)
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
0
25
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
(typ.)
I
V
from 90 % to 10 %
(typ.)
I
F
= 100 mA,
t
P
= 10
s,
R
L
= 50
t
r
t
f
140
110
ns
ns
Semiconductor Group
4
LH 3364
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LH 3364
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 C
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 C
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Semiconductor Group
6
LH 3364
Wellenlnge der Strahlung
peak
=
f
(
T
A
)
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Durchlaspannung
V
F
=
f
(
T
A
)
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Dominantwellenlnge
dom
=
f
(
T
A
)
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(25
C)
=
f
(
T
A
)
Relative luminous intensity
I
F
= 10 mA
Semiconductor Group
7
LH 3364
Mazeichnung
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Anodenkennzeichnung:
Krzerer Ltspie
Anode mark:
Short solder lead
GEX06717