Semiconductor Group
1
11.96
Hyper ARGUS
LED
Hyper-Bright, 3 mm (T1), TS GaAIAs LED,
Non Diffused
LH K376
q
Note: If the diffuser screen is tinted, the spectral
transmission must be adjusted to the wavelength emitted
by the LED.
VEX06712
Besondere Merkmale
q
farbloses, klares Gehuse
q
Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie,
transparentes Substrat
q
Kunststoffgehuse mit spezieller Formgebung
q
bei Einsatz eines ueren Reflektors zur Hintergrundbe-
leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet.
q
zur Direkteinkopplung in Lichtleiterflchen geeignet
q
gleichmige Ausleuchtung einer Streuscheibe (Wei-
druck) vor dem ueren Reflektor
q
Ltspiee mit Aufsetzebene
q
gegurtet lieferbar
q
Strimpulsfest nach DIN 40839
q
Hinweis: Bei farbigen Streuscheiben mu die spektrale
Transmission an die von der LED emittierte Wellenlnge
angepat werden.
Features
q
colorless, clear package
q
double heterojunction in GaAIAs technology, transparent
substrate
q
plasic package with a special design
q
in connection with an additional, custom
built reflector suitable for backlighting of display panels
q
for optical coupling into light pipes
q
uniform illumination of a diffuser screen in front of the
custom built reflector
q
solder leads with stand-off
q
available taped on reel
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
2
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit
V max
/
V min
2.0.
Luminous flux ratio in one packaging unit
V max
/
V min
2.0.
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehusefarbe
Color of
Package
Lichtstrom
Luminous Flux
I
F
= 20 mA
V
(mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
LH K376-QS
LH K376-R
LH K376-S
LH K376-RT
hyper-red
colorless clear
63 ... 200
100 ... 200
160 ... 320
100 ... 500
Q62703-Q3492
Q62703-Q3304
Q62703-Q3305
Q62703-Q3493
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
50
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s,
D
= 0.005
I
FM
0.5
A
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
3
V
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
25 C
P
tot
130
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
R
th JA
500
K/W
LH K376
Semiconductor Group
3
Kennwerte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Wellenlnge des emittierten Lichtes
(typ.)
Wavelength at peak emission
(typ.)
I
F
= 20 mA
peak
660
nm
Dominantwellenlnge
(typ.)
Dominant wavelength
(typ.)
I
F
= 20 mA
dom
645
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
22
nm
Durchlaspannung
(typ.)
Forward voltage
(max.)
I
F
= 20 mA
V
F
V
F
1.85
2.3
V
V
Sperrstrom
(typ.)
Reverse current
(max.)
V
R
= 3 V
I
R
I
R
0.01
10
A
A
Kapazitt
(typ.)
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
0
30
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
(typ.)
I
V
from 90 % to 10 %
(typ.)
I
F
= 100 mA,
t
P
= 10
s,
R
L
= 50
t
r
t
f
100
100
ns
ns
Temperaturkoeffizient von
I
v
bzw.
v
,
I
F
= 50 mA
(typ.)
Temperature coefficient of
I
v
or
v
,
I
F
= 50 mA
(typ.)
TC
I
0.4
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 50 mA
(typ.)
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 50 mA
(typ.)
TC
V
3
mV/K
Temperaturkoeffizient von
peak
,
I
F
= 50 mA
(typ.)
Temperature coefficient of
peak
,
I
F
= 50 mA
(typ.)
TC
+ 0.16
nm/K
LH K376
Semiconductor Group
4
Relative spektrale Emission
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
LH K376
Semiconductor Group
5
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 C
Relativer Lichtstrom
V
/
V(20 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous flux
T
A
= 25 C
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
LH K376
Semiconductor Group
6
LH K376
Mazeichnung
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung:
Krzerer Ltspie
Cathode mark:
Short solder lead
GEX06712
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