ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62703-Q3468

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Semiconductor Group
1
11.96
Hyper ARGUS
LED
Hyper-Bright, 3 mm (T1) LED, Non Diffused
LS K376, LA K376, LO K376
LY K376
VEX06712
Besondere Merkmale
q
eingefrbtes, klares Gehuse
q
Kunststoffgehuse mit spezieller Formgebung
q
bei Einsatz eines ueren Reflektors zur Hintergrundbe-
leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet.
q
zur Direkteinkopplung in Lichtleiterflchen geeignet
q
gleichmige Ausleuchtung einer Streuscheibe (Wei-
druck) vor dem ueren Reflektor
q
Ltspiee mit Aufsetzebene
q
gegurtet lieferbar
q
Strimpulsfest nach DIN 40839
q
Hinweis: Bei farbigen Streuscheiben mu die spektrale
Transmission an die von der LED emittierte Wellenlnge
angepat werden.
Features
q
colored, clear package
q
plasic package with a special design
q
in connection with an additional, custom
built reflector suitable for backlighting of display panels
q
for optical coupling into light pipes
q
uniform illumination of a diffuser screen in front of the
custom built reflector
q
solder leads with stand-off
q
available taped on reel
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
q
Note: If the diffuser screen is tinted, the spectral
transmission must be adjusted to the wavelength
emitted by the LED.
Semiconductor Group
2
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit
V max
/
V min
2.0.
Luminous flux ratio in one packaging unit
V max
/
V min
2.0.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehusefarbe
Color of
Package
Lichtstrom
Luminous Flux
I
F
= 20 mA
V
(mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
LS K376-QT
LS K376-R
LS K376-S
LS K376-T
LS K376-RU
super-red
colorless clear
63
...
500
100
...
200
160
...
320
250
...
500
100
...
800
Q62703-Q3467
Q62703-Q3468
Q62703-Q3469
Q62703-Q3470
Q62703-Q3471
LA K376-RU
LA K376-S
LA K376-T
LA K376-U
LA K376-SV
amber
colorless clear
100
...
800
160
...
320
250
...
500
400
...
800
160
... 1250
Q62703-Q3735
Q62703-Q3737
Q62703-Q3738
Q62703-Q3739
Q62703-Q3736
LO K376-RU
LO K376-S
LO K376-T
LO K376-U
LO K376-SV
orange
colorless clear
100
...
800
160
...
320
250
...
500
400
...
800
160
... 1250
Q62703-Q3472
Q62703-Q3473
Q62703-Q3474
Q62703-Q3475
Q62703-Q3476
LY K376-RU
LY K376-S
LY K376-T
LY K376-U
LY K376-SV
yellow
colorless clear
100
...
800
160
...
320
250
...
500
400
...
800
160
... 1250
Q62703-Q3477
Q62703-Q3478
Q62703-Q3479
Q62703-Q3480
Q62703-Q3481
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Semiconductor Group
3
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LA LY
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
30
20
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s,
D
= 0.005
I
FM
to be defined
A
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
3
V
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
25 C
P
tot
80
55
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
R
th JA
500
K/W
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Semiconductor Group
4
Kennwerte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LA
LO
LY
Wellenlnge des emittierten Lichtes
(typ.)
Wavelength at peak emission
(typ.)
I
F
= 20 mA
peak
645
622
610
591
nm
Dominantwellenlnge
(typ.)
Dominant wavelength
(typ.)
I
F
= 20 mA
dom
632
615
605
587
nm
Spektrale Bandbreite bei 50%
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50%
I
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
16
16
16
15
nm
Durchlaspannung
(typ.)
Forward voltage
(max.)
I
F
= 20 mA
V
F
V
F
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
(typ.)
Reverse current
(max.)
V
R
= 3 V
I
R
I
R
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
A
A
Temperaturkoeffizient von
dom
(
I
F
= 20 mA)
Temperature coefficient of
dom
(
I
F
= 20 mA)
TC
0.014 0.062 0.067
0.096
nm/K
Temperaturkoeffizient von
peak
,
I
F
= 20 mA
(typ.)
Temperature coefficient of
peak
,
I
F
= 20 mA
(typ.)
TC
0.14
0.13
0.13
0.13
nm/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 20 mA (typ.)
TC
V
1.95 1.78 1.67 2.51 mV/K
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Semiconductor Group
5
Relative spektrale Emission
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Semiconductor Group
6
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Relativer Lichtstrom
V
/
V (20 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous flux
T
A
= 25 C
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Relativer Lichtstrom
V
/
V(25C )
=
f
(
T
A
)
Relative luminous flux
I
F
= 20 mA
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Semiconductor Group
7
Mazeichnung
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung:
Krzerer Ltspie
Cathode mark:
Short solder lead
GEX06712
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
p
)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO
Duty cycle
D
= parameter,
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
p
)
Permissible pulse handling capability
LY
Duty cycle
D
= parameter,
T
A
= 25 C