Semiconductor Group
1
1998-09-18
Hyper 3 mm (T1) LED, Diffused
Hyper-Bright, Wide-Angle LED
LS 3386, LA 3386, LO 3386
LY 3386
Besondere Merkmale
q
eingefrbtes, diffuses Gehuse
q
zur Einkopplung in Lichtleiter
q
als optischer Indikator einsetzbar
q
Ltspiee mit Aufsetzebene
q
gegurtet lieferbar
q
Strimpulsfest nach DIN 40839
Features
q
colored, diffused package
q
optical coupling into light pipes
q
for use as optical indicator
q
solder leads with stand-off
q
available taped on reel
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
2
1998-09-18
Streuung der Lichtstrke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
2.0.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehusefarbe
Color of
Package
Lichtstrke
Luminous
Intensity
I
F
= 20 mA
I
V
(mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LS 3386-LP
LS 3386-M
LS 3386-N
LS 3386-P
LS 3386-MQ
super-red
red diffused
10
...
80
16
...
32
25
...
50
40
...
80
16
...
125
Q62703-Q3579
Q62703-Q3581
Q62703-Q3582
Q62703-Q3709
Q62703-Q3580
LA 3386-MQ
LA 3386-N
LA 3386-P
LA 3386-Q
LA 3386-NR
amber
orange diffused
16
...
125
25
...
50
40
...
80
63
...
125
25
...
200
Q62703-Q3886
Q62703-Q3887
Q62703-Q3888
Q62703-Q3889
Q62703-Q3890
LO 3386-MQ
LO 3386-N
LO 3386-P
LO 3386-Q
LO 3386-NR
orange
orange diffused
16
...
125
25
...
50
40
...
80
63
...
125
25
...
200
Q62703-Q3891
Q62703-Q3892
Q62703-Q3893
Q62703-Q3894
Q62703-Q3895
LY 3386-MQ
LY 3386-N
LY 3386-P
LY 3386-Q
LY 3386-NR
yellow
yellow diffused
16
...
125
25
...
50
40
...
80
63
...
125
25
...
200
Q62703-Q3896
Q62703-Q3897
Q62703-Q3898
Q62703-Q3899
Q62703-Q3900
LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386
Semiconductor Group
3
1998-09-18
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LA
LY
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
30
20
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s,
D
= 0.005
I
FM
1
0.2
A
Sperrspanung
1)
Reverse voltage
1)
V
R
3
V
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
25 C
P
tot
80
55
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
R
th JA
500
K/W
1)
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
1)
Reverse biasing should be avoided.
LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386
Semiconductor Group
4
1998-09-18
Kennwerte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LA
LO
LY
Wellenlnge des emittierten Lichtes
(typ.)
Wavelength at peak emission
(typ.)
I
F
= 20 mA
peak
645
622
610
591
nm
Dominantwellenlnge
(typ.)
Dominant wavelength
(typ.)
I
F
= 20 mA
dom
632
615
605
587
nm
Spektrale Bandbreite bei 50%
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50%
I
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
16
16
16
15
nm
Abstrahlwinkel bei 50%
I
v
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50%
I
v
2
100
100
100
100
Grad
deg.
Durchlaspannung
(typ.)
Forward voltage
(max.)
I
F
= 20 mA
V
F
V
F
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
(typ.)
Reverse current
(max.)
V
R
= 3 V
I
R
I
R
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
A
A
Temperaturkoeffizient von
dom
(
I
F
= 20 mA)
Temperature coefficient of
dom
(
I
F
= 20 mA)
TC
0.014 0.062 0.067
0.096
nm/K
Temperaturkoeffizient von
peak
,
I
F
= 20 mA
(typ.)
Temperature coefficient of
peak
,
I
F
= 20 mA
(typ.)
TC
0.14
0.13
0.13
0.13
nm/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 20 mA (typ.)
TC
V
1.95 1.78 1.67 2.51 mV/K
LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386
Semiconductor Group
5
1998-09-18
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
OHL00235
400
0
20
40
60
80
100
450
500
550
600
650
700
nm
%
rel
V
yellow
orange
amber
super-red
0
0.2
0.4
1.0
0.8
0.6
1.0
0.8
0.6
0.4
0
10
20
40
30
OHL01681
50
60
70
80
90
100
0
20
40
60
80
100
120
LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386
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