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Электронный компонент: SFH302-6

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SFH 302
Semiconductor Group
252
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 450 nm bis 1100 nm
q
Hohe Linearitt
q
TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-
Gieharz, mit Basisanschlu
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
450 nm to 1100 nm
q
High linearity
q
TO-18, base plate, transparent exposy resin
lens, with base connection
q
Available in groups
Applications
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
SFH 302
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 302
Q62702-P1641
SFH 302-2
Q62702-P1623
SFH 302-3
Q62702-P1624
SFH 302-4
Q62702-P1625
SFH 302-5
Q62702-P1626
SFH 302-6
Q62702-P1627
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
fet06017
10.95
Semiconductor Group
253
SFH 302
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 80
C
Lttemperatur bei Tauchltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
5 s
Dip soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
5 s
T
S
260
C
Lttemperatur bei Kolbenltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
3 s
Iron soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
3 s
T
S
300
C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
50
V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
50
mA
Kollektorspitzenstrom,
<
10
s
Collector surge current
I
CS
200
mA
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
V
EB
7
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
150
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
450
K/W
SFH 302
Semiconductor Group
254
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
880
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
450 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
0.675
mm
2
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
B
L
W
1
1
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
0.2 ... 0.8
mm
Halbwinkel
Half angle
50
Grad
deg.
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CB
= 5 V
I
PCB
I
PCB
4.2
12.5
A
A
Kapazitt
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
C
CE
C
CB
C
EB
23
39
47
pF
pF
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 10 V,
E
= 0
I
CEO
20 (
200)
nA
Semiconductor Group
255
SFH 302
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Bezeichnung
Description
Sym-
bol
Wert
Value
Ein-
heit
Unit
-2
-3
-4
-5
-6
Fotostrom,
=
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix,
Normlicht/standard light A
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
0.4 ... 0.8
1.75
0.63 ... 1.25
2.8
1 ... 2
4.5
1.6 ... 3.2
7.1
2.5
9.5
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
t
r
,
t
f
9
11
14
17
20
s
Kollektor-Emitter-
Sttigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
200
200
200
200
200
mV
Stromverstrkung
Current gain
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCB
140
230
360
570
750
SFH 302
Semiconductor Group
256
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Output characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)