EC2612
Ref. : DSEC26120077 -17-Marc-00
1/8
Specifications subject to change without notice
United Monolithic Semiconductors S.A.S.
Route Dpartementale 128 - B.P.46 - 91401 Orsay Cedex France
Tel. : +33 (0)1 69 33 03 08 - Fax : +33 (0)1 69 33 03 09
40GHz Super Low Noise PHEMT
Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor
Description
The EC2612 is based on a 0.15m gate
pseudomorphic high electron mobility
transistor (0.15m PHEMT) technology.
Gate width is 120m and the 0.15m
T-shaped aluminium gate features low
resistance and excellent reliability.
The device shows a very high
transconductance which leads to very high
frequency and low noise performances.
It is available in chip form with sources via
holes connection.Only gate and drain wires
bounding are required.
Main Features
0.8dB minimum noise figure @ 18GHz
1.5dB minimum noise figure @ 40GHz
12dB associated gain @ 18GHz
9.5dB associated gain @ 40GHz
Chip size : 0.63 x 0.37 x 0.1 mm
D: Drain
G: Gate
S: Source
Main Characteristics
Tamb = +25C
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
Idss
Saturated drain current
10
40
60
mA
NFmin
Minimum noise figure (F=40GHz)
1.5
1.9
dB
Ga
Associated gain (F=40GHz)
8
9.5
dB
ESD Protections: Electrostatic discharge sensitive device observe handling precautions!
Electrical Characteristics
Tamb = +25C
EC2612
40GHz Super Low Noise PHEMT
Ref. : DSEC26120077 -17-Marc-00
2/8
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Route Dpartementale 128 , B.P.46 - 91401 ORSAY Cedex - FRANCE
Tel.: +33 (0)1 69 33 03 08 - Fax : +33 (0)1 69 33 03 09
Symbol
Parameter
Test
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Idss
Saturated drain current
Vds = 2V
Vgs = 0V
10
35
60
mA
Vp
Pinch off voltage
Vds = 2V
Ids = 0.1mA
-1.0
-0.7
-0.3
V
Gm
Transconductance
Vds = 2V
Ids = 25mA
50
70
mS
Igsd
Gate to source/drain leakage
current
Vgsd = -2V
5
A
Dynamic characteristics
Tamb=25C
Symbol
Parameter
Test
Conditions
Min
Typ.
Max
Unit
F= 12GHz
0.5
0.7
dB
NF
Minimum noise figure
F= 30GHz
1.3
1.7
Vds=2V
F= 40GHz
1.5
1.9
dB
Ids=Idss/3
F= 12GHz
13
14
dB
Ga
Associated Gain
F= 30GHz
9
10
F= 40GHz
8
9.5
dB
Absolute Maximum Ratings
(1)
Tamb = +25C
Symbol
Parameter
Values
Units
Vds
Drain to source voltage
3.5
V
Vgs
Gate to source voltage
-2.5
V
Pt
Total power dissipation
280
mW
Tch
Operating channel temperature
+175
C
Tstg
Storage temperature range
-55 to +175
C
(1) Operation of this device above any one of these parameters may cause permanent damage
40GHz Super Low Noise PHEMT
EC2612
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3/8
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Route Dpartementale 128 , B.P.46 - 91401 ORSAY Cedex - FRANCE
Tel.: +33 (0)1 69 33 03 08 - Fax : +33 (0)1 69 33 03 09
Typical Scattering Parameters
Tamb = +25C
"S" Parameters, including Lg=Ld~0.15nH
Vds = 3V, Ids = 30mA
Freq.
GHz
S11
dB
S11
/
S12
dB
S12
/
S21
dB
S21
/
S22
dB
S22
/
1
-0,14
-11,0
-34,26
81,5
15,88
169,7
-4,78
-8,8
2
-0,19
-21,6
-28,41
76,1
15,69
162,2
-4,89
-18,3
3
-0,35
-32,3
-25,12
70,0
15,48
154,5
-5,11
-27,2
4
-0,62
-42,5
-22,92
64,0
15,20
146,7
-5,39
-36,0
5
-0,89
-52,5
-21,36
58,1
14,87
139,3
-5,80
-44,4
6
-1,12
-62,2
-20,14
52,2
14,53
132,3
-6,19
-53,5
7
-1,39
-71,9
-19,30
46,4
14,16
125,7
-6,67
-61,5
8
-1,70
-80,5
-18,69
42,0
13,74
119,5
-7,07
-68,5
9
-1,96
-88,2
-18,10
38,0
13,34
113,9
-7,38
-75,6
10
-2,15
-95,9
-17,61
33,5
12,96
108,3
-7,69
-83,2
11
-2,34
-104,1
-17,23
29,4
12,57
103,0
-8,04
-90,1
12
-2,47
-111,8
-16,88
25,8
12,23
97,6
-8,30
-96,9
13
-2,62
-118,7
-16,56
22,1
11,83
92,4
-8,55
-104,7
14
-2,78
-125,5
-16,35
18,7
11,40
87,4
-8,85
-111,9
15
-2,91
-132,8
-16,23
15,4
11,02
82,5
-9,03
-118,3
16
-3,00
-138,8
-16,11
12,9
10,60
78,1
-9,20
-123,8
17
-3,05
-144,2
-15,89
10,0
10,24
73,7
-9,29
-130,8
18
-3,08
-150,1
-15,79
6,7
9,86
69,5
-9,28
-137,3
19
-3,13
-156,5
-15,82
4,1
9,49
65,2
-9,34
-143,2
20
-3,17
-161,6
-15,77
1,5
9,14
61,2
-9,38
-148,9
21
-3,24
-166,5
-15,80
-2,0
8,75
57,2
-9,45
-155,9
22
-3,26
-171,9
-15,90
-4,8
8,40
53,3
-9,47
-160,6
23
-3,30
-176,7
-16,00
-6,9
8,02
50,0
-9,50
-164,8
24
-3,27
179,3
-15,96
-9,8
7,68
46,8
-9,43
-169,2
25
-3,26
175,8
-16,06
-12,6
7,39
43,6
-9,31
-174,6
26
-3,20
172,0
-16,12
-14,9
7,12
40,4
-9,20
-177,9
27
-3,17
167,4
-16,14
-17,2
6,86
37,1
-9,13
177,8
28
-3,15
163,5
-16,16
-20,0
6,62
33,4
-9,06
173,5
29
-3,19
159,2
-16,36
-22,2
6,28
29,7
-8,95
168,4
30
-3,15
155,1
-16,39
-23,1
5,98
26,5
-8,81
166,0
31
-3,10
151,2
-16,29
-24,9
5,70
23,1
-8,67
161,3
32
-3,03
147,7
-16,37
-27,5
5,40
19,5
-8,59
155,5
33
-2,99
144,1
-16,54
-28,8
5,12
16,7
-8,45
152,7
34
-2,98
139,8
-16,62
-30,6
4,89
13,4
-8,38
150,0
35
-2,97
136,5
-16,74
-32,6
4,68
10,1
-8,34
145,6
36
-2,89
132,3
-16,88
-34,5
4,51
6,4
-8,26
141,4
37
-2,85
128,2
-16,84
-36,4
4,24
3,0
-8,10
138,3
38
-2,83
124,9
-16,86
-39,7
4,04
-0,7
-7,89
133,7
39
-2,82
121,6
-17,04
-43,4
3,84
-4,4
-7,77
129,7
40
-2,83
116,9
-17,11
-46,0
3,47
-8,6
-7,71
127,3
Tamb = +25C
EC2612
40GHz Super Low Noise PHEMT
Ref. : DSEC26120077 -17-Marc-00
4/8
Specifications subject to change without notice
Route Dpartementale 128 , B.P.46 - 91401 ORSAY Cedex - FRANCE
Tel.: +33 (0)1 69 33 03 08 - Fax : +33 (0)1 69 33 03 09
"S" Parameters, including Lg=Ld~0.15nH
Vds = 2V, Ids = 10mA
Freq.
GHz
S11
dB
S11
/
S12
dB
S12
/
S21
dB
S21
/
S22
dB
S22
/
1
-0,11
-10,5
-33,67
82,3
13,52
170,6
-4,76
-7,4
2
-0,26
-20,7
-27,77
77,0
13,38
163,7
-4,81
-16,4
3
-0,45
-29,8
-24,45
71,2
13,22
156,4
-4,99
-24,5
4
-0,66
-38,4
-22,20
65,4
13,01
149,0
-5,21
-32,6
5
-0,85
-47,7
-20,57
59,6
12,74
141,8
-5,56
-40,5
6
-1,03
-56,5
-19,27
53,7
12,48
135,0
-5,88
-49,0
7
-1,20
-65,7
-18,36
47,9
12,19
128,5
-6,29
-56,6
8
-1,41
-73,9
-17,68
43,3
11,85
122,4
-6,65
-63,3
9
-1,64
-81,2
-17,04
39,2
11,51
116,7
-6,91
-70,0
10
-1,85
-88,7
-16,49
34,5
11,19
111,0
-7,19
-77,4
11
-2,04
-96,7
-16,08
30,1
10,85
105,6
-7,53
-84,0
12
-2,19
-104,2
-15,69
26,3
10,56
100,1
-7,78
-90,6
13
-2,35
-111,0
-15,33
22,3
10,22
94,7
-8,03
-98,0
14
-2,51
-117,8
-15,09
18,5
9,82
89,6
-8,34
-105,2
15
-2,66
-125,3
-14,94
14,9
9,49
84,5
-8,49
-111,6
16
-2,78
-131,4
-14,82
12,0
9,12
79,9
-8,67
-117,1
17
-2,86
-136,9
-14,57
8,9
8,78
75,2
-8,82
-124,0
18
-2,92
-142,9
-14,47
5,3
8,43
70,9
-8,91
-130,5
19
-3,00
-149,4
-14,48
2,3
8,08
66,4
-9,02
-136,3
20
-3,08
-154,6
-14,41
-0,5
7,76
62,2
-9,07
-141,9
21
-3,15
-159,8
-14,41
-4,3
7,40
58,0
-9,18
-149,1
22
-3,20
-165,3
-14,50
-7,5
7,07
54,0
-9,27
-154,0
23
-3,23
-170,4
-14,60
-9,8
6,72
50,4
-9,29
-158,4
24
-3,25
-174,7
-14,56
-12,9
6,38
47,1
-9,27
-162,8
25
-3,26
-178,3
-14,65
-16,0
6,10
43,6
-9,22
-168,4
26
-3,27
177,7
-14,71
-18,5
5,83
40,3
-9,16
-171,9
27
-3,27
173,0
-14,72
-21,1
5,57
36,8
-9,08
-176,3
28
-3,26
169,0
-14,74
-24,0
5,34
33,1
-9,05
179,2
29
-3,25
164,6
-14,93
-26,6
5,03
29,3
-8,91
174,0
30
-3,21
160,2
-15,00
-27,9
4,73
26,0
-8,80
171,5
31
-3,18
156,1
-14,93
-30,1
4,47
22,4
-8,67
166,5
32
-3,13
152,5
-15,01
-33,0
4,18
18,6
-8,58
160,6
33
-3,09
148,6
-15,21
-34,6
3,91
15,8
-8,49
157,5
34
-3,07
144,3
-15,27
-36,7
3,69
12,3
-8,39
154,9
35
-3,03
140,9
-15,31
-39,8
3,49
9,0
-8,30
151,3
36
-3,00
136,6
-15,48
-42,0
3,33
5,2
-8,20
146,8
37
-2,98
132,1
-15,49
-44,1
3,07
1,7
-8,08
143,3
38
-2,97
128,6
-15,53
-47,7
2,89
-2,2
-7,95
138,6
39
-2,94
125,3
-15,77
-50,7
2,67
-6,0
-7,86
133,6
40
-2,93
120,6
-15,86
-53,4
2,33
-10,2
-7,78
131,3
40GHz Super Low Noise PHEMT
EC2612
Ref. : DSEC26120077 -17-Marc-00
5/8
Specifications subject to change without notice
Route Dpartementale 128 , B.P.46 - 91401 ORSAY Cedex - FRANCE
Tel.: +33 (0)1 69 33 03 08 - Fax : +33 (0)1 69 33 03 09
Typical results
Tamb = +25C
Ids vs Vds (Vgs=-0.2V/Step)
0
10
20
30
40
50
60
70
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
Vds (V)
Ids (mA
)
Vgs=0.4V
Nf and Associated Gain Vs Ids (F=12GHz)
0,40
0,50
0,60
0,70
0,80
0,90
1,00
4
9
14
19
24
29
34
39
Ids (mA)
NF (dB)
10
11
12
13
14
15
16
Ga
(
d
B
)
Vds = 2V
NF and Associated Gain vs Ids (F=40GHz)
1,20
1,40
1,60
1,80
2,00
2,20
2,40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Ids (mA)
NF
(
d
B)
7
7,5
8
8,5
9
9,5
10
Ga (dB
)
Vds=2V
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