ChipFind - документация

Электронный компонент:

Скачать:  PDF   ZIP
N-канальный МОП ПТ КП767В.
Краткий информационный лист
Область применения полевых транзисторов определяется их основными характеристиками:
Высокие динамические характеристики
Рабочая температура кристалла 150C
Низкое сопротивление во включенном состоянии
Низкая мощность управления
Высокое коммутируемое напряжение
Типовые применения следующие: высокочастотные импульсные источники питания, системы
преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и
переменного тока, высокочастотные генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые
генераторы, звуковые усилители, периферийные устройства для компьютеров, оборудование для
телекоммуникаций.
Максимально допустимые значения
Электрические характеристики @T
J
= 25C (если не указано другое)
Условные
обозначения
Параметр
Максимум Ед.изм.
I
D
@T
C
=25C
Постоянный ток стока
18
А
I
D
@T
C
=70C
Постоянный ток стока
11
А
I
DM
Импульсный ток стока
(1)
72
А
P
D
@T
C
=25C
Рассеиваемая мощность
125
Вт
Линейное снижение мощности рассеивания от
температуры
1.0
Вт/C
V
GS
Напряжение затвор-исток
20
В
E
AS
Энергия пробоя одиночным импульсом
(2)
580
мДж
I
AR
Ток лавинного пробоя
(1)
18
А
E
AR
Энергия пробоя повторяющимися импульсами
(1)
13
мДж
dv/dt
Скорость нарастания напряжения на закрытом
диоде
(3)
5.0
В/нс
T
J
T
STG
Диапазон температур функционирования
перехода и хранения прибора
от -55 до
+150
C
Температура пайки при времени менее 10 сек.
300
C
Усл.
обозначение
Параметр
Мин. Тип. Макс.
Ед.
изм
Режим
измерения
V
(BR)DSS
Максимальное напряжение сток-
исток
200
-
-
В
V
GS
= 0В,
I
D
= 250мкA
V
(BR)DSS
/T
J
Температурный коэффициент
максимального напряжения
-
0.29
-
В/C
Т= 25C,
I
D
= 1мA
Характеристики исток-стока

Примечания:
(1)
- частота следования; длительн. импульса ограничена максимальной температурой кристалла
(2)
- V
DD
= 25В, начало T
J
= 25C, L = 2.7мГн, R
G
= 25 Ом, I
AS
= 18A
(3)
- I
SD
џ 18А, di /dt џ 150А/мкс, V
DD
џ V
(BR)DSS
, T
J
џ 150C
(4)
- длительн. импульса џ 300мкс, коэффициент заполнения џ 2%.
R
DS(on)
Сопротивление сток-исток
-
-
0.18
Ом
V
GS
= 10В,
I
D
= 11A
(4)
V
GS(th)
Пороговое напряжение на
затворе
2.0
-
4.0
В
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250мкA
g
fs
Крутизна характеристики
6.7
-
-
А/В
V
DS
= 50В,
I
D
= 11A
(4)
I
DSS
Остаточный ток стока
-
-
25
мкА
V
DS
= 200В,
V
GS
= 0В
-
-
250
V
DS
= 160В,
V
GS
= 0В,
T
J
= 125C
I
GSS
Ток утечки затвора (прямой)
-
-
100
нА
V
GS
= 20В
Ток утечки затвора (обратный)
-
-
-100
V
GS
= -20В
Усл.обозн.
Параметр
Мин. Тип. Макс. Ед.изм.
Режим изм.
I
S
Постоянный ток истока
(через встроенный
диод)
-
-
18
А
Условное обозначение
полевого транзистора со
встроенным диодом
I
SM
Импульсный ток истока
(через встроенный
диод)
(1)
-
-
72
V
SD
Прямое напряжение на
диоде
-
-
2.0
В
T
J
= 25C,
I
S
= 18A
V
GS
= 0В
(4)
t
rr
Время восстановления
-
300
610
нс
T
J
= 25C,
I
F
= 18A
di /dt = 100А/ мкс
(4)
Q
rr
Заряд рассасывания
-
3.4
7.1
мкКл