ChipFind - документация

Электронный компонент:

Скачать:  PDF   ZIP
КТ740А, КТ740А1 (ПИР-2). NPN кремниевый мощный
высоковольтный транзистор
Основные области применения:
Регуляторы и преобразователи напряжения
Импульсные переключающие схемы
Усилители мощности для высококачественной аудиоаппаратуры
В виде кристаллов (чипов) предназначен специально для гибридных схем автомобильных регуляторов
напряжения (14В)
Максимально-допустимые параметры
* - в корпусе КТ43. При сборке в корпусе КТ28(ТО-220) P
D
= 60 Вт
Электрические характеристики
Наименование параметра
Обозначение
Величина
Ед.изм.
Напряжение коллектор-база
U
CBO
200
В
Напряжение коллектор-эмиттер (I
B
=0)
U
CEO
160
В
Напряжение эмиттер-база
U
EB
7
В
Постоянный ток коллектора
I
C
20
А
Импульсный ток коллектора
I
40
А
Постоянный ток базы
I
B
5
А
Постоянная рассеиваемая мощность
P
D
125*
Вт
Диапазон рабочих температур перехода
T
j
-60 до +150
C
Максимальная температура перехода
T
j max
+150
C
Наименование параметра, режим измерения
Обозначение
Величина
Ед. изм.
мин. макс.
Граничное напряжение коллектор-эмиттер
(I
C
=0.2A)
U
CEO(sus)
160
В
Обратный ток коллектор-эмиттер
(U
СЕ
=150В, I
B
=0)
I
CEO
0.75
мА
Обратный ток коллектор-база
(U
СВ
=200В)
I
CBO
0.5
мА
Обратный ток эмиттер-база
(U
ЕВ
=7В)
I
EBO
0.3
мА
Статический коэффициент передачи тока
(U
CE
=4B, I
C
=8A)
(U
CE
=4B, I
C
=16A)
h
FE
30
15
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Близким зарубежным аналогом транзистора "Пир-2" является прибор MJE4343 фирмы MOTOROLA.
Ориентировочная оптовая цена на II кв. 1999 г. - 12 руб. 30 коп. (в корпусе ТО-220).
(I
C
=8A, I
В
=0.8A)
(I
C
=16A, I
В
=1.6A)
U
CE(sat)
1.0
2.5
В
Напряжение насыщения база-эмиттер
(I
K
=16A, I
B
=1.6A)
U
BE(sat)
1.7
В
Граничная частота
(I
С
=1A, U
СЕ
=20В)
f
T
1.0
МГц
Емкость перехода коллектор-база
(U
СВ
=10В, I
Е
=0)
С
ОВ
600
пФ