МОЩНЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ
N-P-N ТРАНЗИСТОРЫ
Мощные высоковольтные N-P-N кремниевые транзисторы серии LПир и составные транзисторы
(транзисторы Дарлингтона) серии LПилон в пластмассовых корпусах ТО-218, ТО-220 предназначены
для использования в быстродействующих схемах переключения с индуктивной нагрузкой, в импульсных
схемах, схемах усилителей мощности с высокой линейностью и других электротехнических устройствах.
Основные области применения:
Регуляторы и преобразователи напряжения, в том числе специальные автомобильные и тракторные
регуляторы напряжения
Усилители мощности для высококачественной аудиоаппаратуры
Импульсные источники питания и переключающие устройства
Электронные системы зажигания
Серия
Тип тран-
зистора
V
CBO
(B)
V
CEO
(B)
V
EBO
(B)
I
Cmax
(A)
I
Bmax
(A)
P
D
(Bт)
h
21FEmin
V
CE
sat
(B)
Режим измерения
V
CE sat
Тип корпуса
Пир
Пир-1
850 450
5
20
5 125
8
1.3 I
C
=8 A, I
B
=1.6 A
КТ43В-1В
(TO-218)
КТ740А
200 160
5
20
5 125
30
1.0
2.5
I
C
=8 A, I
B
=0.8 A
I
C
=16 A, I
B
=1.6 A
КТ43В-1В
(TO-218)
КТ740Б
200 160
5
20
5
60
30
1.0
2.5
I
C
=8 A, I
B
=0.8 A
I
C
=16 A, I
B
=1.6 A
КТ28(TO-
220)
Пир-3А
190 40
5
15 1.5 50
100
0.3
0.5
0.8
I
C
=5 A, I
B
=0.5 A
I
C
=10 A, I
B
=1.0 A
I
C
=15 A, I
B
=1.5 A
КТ28(TO-
220)
Пир-3Б
190 80
5
15 1.5 50
100
0.3
0.5
0.8
I
C
=5 A, I
B
=0.5 A
I
C
=10 A, I
B
=1.0 A
I
C
=15 A, I
B
=1.5 A
КТ28(TO-
220)
Пилон
Пилон-3
100 100
5
15 0.5 60 1000
1.5
1.7
2.5
I
C
=3 A, I
B
=12 мА
I
C
=5 A, I
B
=20 мА
I
C
=10 A, I
B
=20 мА
КТ28(TO-
220)
КТ8246А 100 100
5
15 1.5 60 0.95
0.95 I
C
=5 A, I
B
=12 мА
КТ28(TO-
220)
КТ8246Б 120 120
5
15 1.5 60 1000
1.0 I
C
=5 A, I
B
=12 мА
КТ28(TO-
220)
КТ8246В 160 150
5
15 1.5 60 1000
1.2
1.25
I
C
=5 A, I
B
=12 мА
I
C
=5 A, I
B
=5 мА
КТ28(TO-
220)
КТ8246Г 300 150
5
15 1.5 60
750
1.3 I
C
=5 A, I
B
=12 мА
КТ28(TO-
220)
КТ8232А 350-
500
350-
500
5
20
3 125
300
1.8
1.8
I
C
=8 A, I
B
=0.1 А
I
C
=10 A, I
B
=0.25
А
КТ43В-1В
(TO-218)
КТ8232Б
300-
400
300-
400
5
20
3 125
300
1.8
1.8
I
C
=8 A, I
B
=0.1 А
I
C
=10 A, I
B
=0.25
КТ43В-1В
(TO-218)
Примечание:
1. Транзисторы КТ8232 А, Б имеет встроенную схему защиты от вторичного пробоя на основе диода Зенера.
Типовое значение энергии вторичного пробоя Е=1 Дж.
2. Возможна поставка транзисторов в металло-стеклянном корпусе
ТО-3 (КТ9)
А
PDF 
ZIP