1
White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
Aug. 2002 Rev. 0
ECO #15455
WED3DG6419V-D2
128MB- 16Mx64 SDRAM UNBUFFERED
n Burst Mode Operation
n Auto and Self Refresh capability
n LVTTL compatible inputs and outputs
n Serial Presence Detect with EEPROM
n Fully synchronous: All signals are registered on the positive
edge of the system clock
n Programmable Burst Lengths: 1, 2, 4, 8 or Full Page
n 3.3 volt 6 0.3v Power Supply
n 168- Pin DIMM JEDEC
The WED3DG6419V is a 16Mx64 synchronous DRAM module
which consists of sixteen 8Mx8 SDRAM components in TSOP- 11
package and one 2K EEPROM in an 8- pin TSSOP package for
Serial Presence Detect which are mounted on a 168 Pin DIMM
multilayer FR4 Substrate.
DESCRIPTION
FEATURES
PIN CONFIGURATIONS (FRONT SIDE/BACK SIDE)
PIN NAMES
Pin
Front
Pin
Front
Pin
Front
Pin
Back
Pin
Back
Pin
Back
1
VSS
29
DQM1
57
DQ18
85
VSS
113
DQM5
141
DQ50
2
DQ0
30
CS0
58
DQ19
86
DQ32
114
CS1
142
DQ51
3
DQ1
31
DNU
59
VDD
87
DQ33
115
RAS
143
VDD
4
DQ2
32
VSS
60
DQ20
88
DQ34
116
VSS
144
DQ52
5
DQ3
33
A0
61
NC
89
DQ35
117
A1
145
NC
6
VDD
34
A2
62
*VREF
90
VCC
118
A3
146
*VREF
7
DQ4
35
A4
63
CKE1
91
DQ36
119
A5
147
DNU
8
DQ5
36
A6
64
VSS
92
DQ37
120
A7
148
VSS
9
DQ6
37
A8
65
DQ21
93
DQ38
121
A9
149
DQ53
10
DQ7
38
A10/AP
66
DQ22
94
DQ39
122
BA0
150
DQ54
11
DQ8
39
BA1
67
DQ23
95
DQ40
123
A11
151
DQ55
12
VSS
40
VDD
68
VSS
96
VSS
124
VDD
152
VSS
13
DQ9
41
VDD
69
DQ24
97
DQ41
125
CLK1
153
DQ56
14
DQ10
42
CLK0
70
DQ25
98
DQ42
126
*A12
154
DQ57
15
DQ11
43
VSS
71
DQ26
99
DQ43
127
VSS
155
DQ58
16
DQ12
44
DNU
72
DQ27
100
DQ44
128
CKE0
156
DQ59
17
DQ13
45
CS2
73
VDD
101
DQ45
129
CS3
157
VDD
18
VDD
46
DQM2
74
DQ28
102
VDD
130
DQM6
158
DQ60
19
DQ14
47
DQM3
75
DQ29
103
DQ46
131
DQM7
159
DQ61
20
DQ15
48
DNU
76
DQ30
104
DQ47
132
*A13
160
DQ62
21
*CB0
49
VDD
77
DQ31
105
*CB4
133
VDD
161
DQ63
22
*CB1
50
NC
78
VSS
106
*CB5
134
NC
162
VSS
23
VSS
51
NC
79
CLK2
107
VSS
135
NC
163
CLK3
24
NC
52
*CB2
80
NC
108
NC
136
*CB6
164
NC
25
NC
53
*CB3
81
WP***
109
NC
137
*CB7
165
**SA0
26
VDD
54
VSS
82
**SDA
110
VDD
138
VSS
166
**SA1
27
WE
55
DQ16
83
**SCL
111
CAS
139
DQ48
167
**SA2
28
DQM0
56
DQ17
84
VDD
112
DQM4
140
DQ49
168
VDD
* These pins are not used in this module.
** These pins should be NC in the system which
does not support SPD.
*** WP is available on the WED3DG6319V-D2 only.
* This datasheet describes a product that may or may not be under development
and is subject to change or cancellation without notice.
A0 A11
Address input (Multiplexed)
BA0-1
Select Bank
DQ0-63
Data Input/Output
CLK0-CLK3
Clock input
CKE0,CKE1
Clock Enable input
CS0-CS3
Chip select Input
RAS
Row Address Strobe
CAS
Column Address Strobe
WE
Write Enable
DQM0-7
DQM
VDD
Power Supply (3.3V)
VSS
Ground
SDA
Serial data I/O
SCL
Serial clock
DNU
Do not use
NC
No Connect
WP
Write Protect
2
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ECO #15455
WED3DG6419V-D2
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
A0
A0 ~
~ A11,
A1
BA0
BA0 &
& 1
CKE0
CKE0
RAS
RAS
CAS
CAS
WE
WE
SDRAM
SDRAM U0
U0 ~
~ U15
U1
SDRAM
SDRAM U0
U0 ~
~ U15
U1
SDRAM
SDRAM U0
U0 ~
~ U15
U1
SDRAM
SDRAM U0
U0 ~
~ U15
U1
SDRAM
SDRAM U0
U0 ~
~ U7
U
10
10
DQn
DQn
Ev
Ever
ery
y DQpin
DQpin of
of SDRAM
SDRAM
CKE1
CKE1
SDRAM
SDRAM U8
U ~
~ U15
U1
10K
10K
V
DD
DD
DQM1
DQM1
DQM5
DQM5
DQM3
DQM3
DQM2
DQM2
CS2
DQ0
DQ0
DQ1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
DQ3
DQ4
DQ4
DQ5
DQ5
DQ6
DQ6
DQ7
DQ7
U0
U0
DQ0
DQ0
DQ1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
DQ3
DQ4
DQ4
DQ5
DQ5
DQ6
DQ6
DQ7
DQ7
DQM
DQM
CS
CS
DQ0
DQ0
DQ1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
DQ3
DQ4
DQ4
DQ5
DQ5
DQ6
DQ6
DQ7
DQ7
U4
DQ32
DQ32
DQ33
DQ33
DQ34
DQ34
DQ35
DQ35
DQ36
DQ36
DQ37
DQ37
DQ38
DQ38
DQ39
DQ39
DQM
DQM
CS
CS
DQ0
DQ0
DQ1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
DQ3
DQ4
DQ4
DQ5
DQ5
DQ6
DQ6
DQ7
DQ7
U1
U1
DQ8
DQ8
DQ9
DQ9
DQ10
DQ10
DQ11
DQ11
DQ12
DQ12
DQ13
DQ13
DQ14
DQ14
DQ15
DQ15
DQM
DQM
CS
CS
DQ0
DQ0
DQ1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
DQ3
DQ4
DQ4
DQ5
DQ5
DQ6
DQ6
DQ7
DQ7
U5
DQ40
DQ40
DQ41
DQ41
DQ42
DQ42
DQ43
DQ43
DQ44
DQ44
DQ45
DQ45
DQ46
DQ46
DQ47
DQ47
DQM
DQM
CS
CS
U2
DQ0
DQ0
DQ1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
DQ3
DQ4
DQ4
DQ5
DQ5
DQ6
DQ6
DQ7
DQ7
U6
DQ48
DQ48
DQ49
DQ49
DQ50
DQ50
DQ51
DQ51
DQ52
DQ52
DQ53
DQ53
DQ54
DQ54
DQ55
DQ55
DQM
DQM
CS
DQ0
DQ0
DQ1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
DQ3
DQ4
DQ4
DQ5
DQ5
DQ6
DQ6
DQ7
DQ7
U3
DQ16
DQ16
DQ17
DQ17
DQ18
DQ18
DQ19
DQ19
DQ20
DQ20
DQ21
DQ21
DQ22
DQ22
DQ23
DQ23
DQM
DQM
CS
DQ0
DQ0
DQ1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
DQ3
DQ4
DQ4
DQ5
DQ5
DQ6
DQ6
DQ7
DQ7
U7
DQ56
DQ56
DQ57
DQ57
DQ58
DQ58
DQ59
DQ59
DQ60
DQ60
DQ61
DQ61
DQ62
DQ62
DQ63
DQ63
DQM
DQM
CS
DQ0
DQ0
DQ1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
DQ3
DQ4
DQ4
DQ5
DQ5
DQ6
DQ6
DQ7
DQ7
DQ24
DQ24
DQ25
DQ25
DQ26
DQ26
DQ27
DQ27
DQ28
DQ28
DQ29
DQ29
DQ30
DQ30
DQ31
DQ31
DQM
DQM
CS
DQM0
DQM0
CS0
CS0
DQM4
DQM4
DQM6
DQM6
DQM7
DQM7
DQ0
DQ0
DQ1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
DQ3
DQ4
DQ4
DQ5
DQ5
DQ6
DQ6
DQ7
DQ7
U8
DQM
DQM
CS
CS
DQ0
DQ0
DQ1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
DQ3
DQ4
DQ4
DQ5
DQ5
DQ6
DQ6
DQ7
DQ7
U9
DQM
DQM
CS
CS
DQ0
DQ0
DQ1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
DQ3
DQ4
DQ4
DQ5
DQ5
DQ6
DQ6
DQ7
DQ7
U12
DQM
DQM
CS
CS
DQ0
DQ0
DQ1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
DQ3
DQ4
DQ4
DQ5
DQ5
DQ6
DQ6
DQ7
DQ7
U13
DQM
DQM
CS
CS
DQ0
DQ0
DQ1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
DQ3
DQ4
DQ4
DQ5
DQ5
DQ6
DQ6
DQ7
DQ7
DQM
DQM
CS
DQ0
DQ0
DQ1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
DQ3
DQ4
DQ4
DQ5
DQ5
DQ6
DQ6
DQ7
DQ7
DQM
DQM
CS
DQ0
DQ0
DQ1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
DQ3
DQ4
DQ4
DQ5
DQ5
DQ6
DQ6
DQ7
DQ7
U10
DQM
DQM
CS
DQ0
DQ0
DQ1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
DQ3
DQ4
DQ4
DQ5
DQ5
DQ6
DQ6
DQ7
DQ7
U11
DQM
DQM
CS
CS1
CS1
CS3
V
DD
DD
Vss
Vss
Two
o 0.1uF
0.1uF Capacitors
Capacitors
per
per each
each SDRAM
SDRAM
To
o all
all SDRAMs
SDRAMs
U0/U1/U2/U3
U
/
U4/U5/U6/U7
/
10
10
CLK0/1/2/3
CLK0/1/2/3
U8/U9/U10/U11
U12/U13/U14/U15
3.3 pF
SD
SDA
SCL
SCL
A1
A1
A2
A2
A0
A0
SA1
SA1 SA2
SA2
SA0
SA0
WP
U14
U15
3
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ECO #15455
WED3DG6419V-D2
(Voltage Referenced to: V
SS
= 0V, T
A
= 0C to +70C)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Symbol
Value
Units
Voltage on any pin relative to VSS
V
IN
, Vout
-1.0 ~ 4.6
V
Voltage on VDD supply relative to VSS
VDD, VDDQ
-1.0 ~ 4.6
V
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150 C
Power Dissipation
PD
16
W
Short Circuit Current
IOS
50
mA
Note: Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded.
Functional operation should be restricted to recommended operating condition.
Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Note
Supply Voltage
VDD
3.0
3.3
3.6
V
Input High Voltage
VIH
2.0
3.0 VDDQ+0.3 V
1
Input Low Voltage
VIL
-0.3
0.8
V
2
Output High Voltage
VOH
2.4
V
IOH= -2mA
Output Low Voltage
VOL
0.4
V
IOL= -2mA
Input Leakage Current
ILI
-10
10
A
3
Note: 1. VIH (max)= 5.6V AC. The overshoot voltage duration is 3ns.
2. VIL (min)= -2.0V AC. The undershoot voltage duration is 3ns.
3. Any input 0V VIN VDDQ
Input leakage currents include Hi-Z output leakage for all bi-directional buffers with Tri-State
outputs.
CAPACITANCE
(T
A
= 23C, f = 1MHz, V
DD
= 3.3V, VREF=1.4V 6200mV)
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Input Capacitance (A0-A12)
CIN1
-
85
pF
Input Capacitance (RAS,CAS,WE)
CIN2
-
85
pF
Input Capacitance (CKE0-CKE1)
CIN3
-
25
pF
Input Capacitance (CLK0-CLK3)
CIN4
-
21
pF
Input Capacitance (CS0-CS3)
CIN5
-
25
pF
Input Capacitance (DQM0-DQM7)
CIN6
-
15
pF
Input Capacitance (BA0-BA1)
CIN7
-
85
pF
Data input/output capacitance (DQ0-DQ63)
Cout
-
20
pF
4
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ECO #15455
WED3DG6419V-D2
OPERATING CURRENT CHARACTERISTICS
(V
CC
= 3.3V, T
A
= 0C to +70C)
Notes: 1. Measured with outputs open.
2. Refresh period is 64ms.
3. Unless otherwise noticed, input swing level is CMOS (VIH/VIL = VDDQ/VssQ)
Version
Parameter
Symbol
Conditions
133
100
Units Note
Operating Current
ICC1
Burst Length = 1
1200
1040
mA
1
(One bank active)
tRC tRC(min)
IOL = 0mA
Precharge Standby Current
ICC2P
CKE VIL(max), tCC = 10ns
35
mA
in Power Down Mode
ICC2PS
CKE & CLK VIL(max), tCC =
35
Icc2N
CKE VIH(min), CS VIH(min), tcc = 10ns
Precharge Standby Current
Input signals are charged one time during 20
320
in Non-Power Down Mode
Icc2NS
CKE VIH(min), CLK VIL(max), tcc =
mA
Input signals are stable
160
Active standby current in
ICC3P
CKE VIL(max), tCC = 10ns
80
mA
power-down mode
ICC3PS
CKE & CLK VIL(max), tcc =
80
ICC3N
CKE VIH(min), CS VIH(min), tcc = 10ns
Active standby current in
Input signals are changed one time during 20ns 480
mA
non power-down mode
ICC3NS
CKE VIH(min), CLK VIL(max), tcc =
input signals are stable
400
mA
Io = mA
Operating current (Burst mode)
ICC4
Page burst
1280
1120
mA
1
4 Banks activated
tCCD = 2CLK
Refresh current
ICC5
tRC tRC(min)
2000
1760
mA
2
Self refresh current
ICC6
CKE 0.2V
35
mA
5
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Aug. 2002 Rev. 0
ECO #15455
WED3DG6419V-D2
ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES
PACKAGE DIMENSIONS
.150
MAX.
200
MAX.
ORDERING INFORMATION
Part Number
Speed
CAS Latency
WED3DG6419V10D2
100MHz
CL=2
WED3DG6419V7D2
133MHz
CL=2
WED3DG6419V75D2
133MHz
CL=3
Note: Modules are available in industrial temperature - 40C to 85C.
Part Number
Speed
CAS Latency
WED3DG6319V10D2
100MHz
CL=2
WED3DG6319V7D2
133MHz
CL=2
WED3DG6319V75D2
133MHz
CL=3
Note: Available with "WP" Write Protect on pin 81.
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ECO #15455
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REV.
DATE
REQUESTED BY
DETAILS
A
4-9-02
PAUL MARIEN
CREATED
B
5-21-02
PAUL MARIEN
-CORRECT MECHANICAL
DRAWING
0
8-19-02
PAUL MARIEN
-CHANGE FROM ADVANCED
TO FINAL DATASHEET
PDF 
ZIP