Подробное описание (datasheet) электронного компонента «35N100U1» (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)), производства IXYS. Выберите наиболее удобный формат.
Маркировка
35N100U1
Описание
IGBT With Diode High Short Circuit Soa Capability
Функционал
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)