NGB8204N (ON Semiconductor)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «NGB8204N» (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)), производства ON Semiconductor. Выберите наиболее удобный формат.
 |
| Маркировка | NGB8204N |
| Описание | Ignition IGBT 18 A, 400 V, N-Channel D2PAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clampedprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage andhigh current switching is required.• Ideal for Coil−on−Plug Applications• Gate−Emitter ESD Protection• Temperature Compensated Gate−Collector Voltage Clamp LimitsStress Applied to |
| Функционал | IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) | | Производитель | ON Semiconductor |  |
| Сайт | www.onsemi.com |
| | | Размер | Страниц: 8, 115.51Кб |
| Скачать файл |
 Оригинальный PDF
 Архив WinZIP
|
| Предпросмотр |
 HTML страница |
|
В этом файле
|
|
|