GT10J311SM (Toshiba)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «GT10J311SM» (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)), производства Toshiba. Выберите наиболее удобный формат.
 |
| Маркировка | GT10J311SM |
| Описание | Vces (V) = 600 ; Ic (A) = 10 ; Vce (sat) (V) = 2.7 ; PC (W) = 80 ; TRR Max (ns) = 200 ; Package = TO3P(SM) ; Main Application = Inverter/ups ; Feature = Power SMD |
| Функционал | IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) | | Производитель | Toshiba Semiconductor |  |
| Сайт | www.semicon.toshiba.co.jp |
| | | Размер | Страниц: 7, 463.28Кб |
| Скачать файл |
 Оригинальный PDF
 Архив WinZIP
|
| Предпросмотр |
 HTML страница |
|
|
|
|