GT10J312SM (Toshiba)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «GT10J312SM» (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)), производства Toshiba. Выберите наиболее удобный формат.
 |
| Маркировка | GT10J312SM |
| Описание | Vces (volts) = 600 ; Ic (amps) = 10 ; Vce (sat) Max = 2.7 ; Ton (usec) = 0.4 ; Toff (usec) = 0.5 ; Additional Information = |
| Функционал | IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) | | Производитель | Toshiba Semiconductor |  |
| Сайт | www.semicon.toshiba.co.jp |
| | | Размер | Страниц: 6, 295.12Кб |
| Скачать файл |
 Оригинальный PDF
 Архив WinZIP
|
| Предпросмотр |
 HTML страница |
|
|
|
|